[发明专利]光学邻近修正方法在审
| 申请号： | 201910746475.8 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110426915A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 黄增智;夏睿;黄双龙;倪凌云 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种光学邻近修正方法，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形；当所述第一修正图形的修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一模拟光刻图形的第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。以所述光学邻近修正方法得到的修正图形形成的光刻图形效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻图形 修正 光学邻近修正 边缘放置误差 模拟光 子目标 图形形成 预设距离 预设 | ||
【主权项】：
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形，所述第一修正图形包括与所述第一子目标光刻图形对应的第一子修正图形及与所述第二子目标光刻图形对应的第二子修正图形，所述第一子修正图形和所述第二子修正图形间具有修正最小间距，所述第一模拟光刻图形包括与所述第一子修正图形对应的第一子模拟光刻图形以及与所述第二子修正图形对应的第二子模拟光刻图形，所述第一子模拟光刻图形具有第一边缘放置误差，所述第二子模拟光刻图形具有第二边缘放置误差；当所述修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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