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[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310815426.1在审
发明人：肖和平;任关涛;杨永杰;刘康 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述第二半导体层远离所述发光层的表面键合第二衬底，并去除所述第一衬底；制作贯穿所述第一半导体层、所述发光层并延伸至所述第二半导体层的台阶结构；制作覆盖所述台阶结构和所述第一半导体层表面的氧化层，所述氧化层具有连通所述第一半导体层的表面的第一通孔和连通所述台阶结构的台阶面的第二通孔；在高温环境下抽真空，以使腔内含氧量低于阈值；在所述第一通孔处制作第一电极，在所述第二通孔处制作第二电极。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]降低电极电阻的发光二极管及其制备方法-CN202310508754.7在审
发明人：肖和平;任关涛;朱志佳;杨永杰 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本公开提供了一种降低电极电阻的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层；在所述外延层的表面形成电极；在所述外延层的表面形成钝化层，所述钝化层具有露出所述电极的通孔；在所述钝化层的表面和所述通孔内形成焊点块，所述焊点块包括层叠的多个金属层，所述多个金属层中，最靠近所述外延层的金属层为Ti层或Cr层，且最靠近所述外延层的金属层的厚度为30埃至50埃。本公开实施例能降低电极的电阻，在电流工作状态下提升发光二极管的发光效果。
降低电极电阻发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管的制作方法及发光二极管-CN202211698402.4在审
发明人：肖和平;冯岩;胡根水;任关涛;刘康 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开公开了一种发光二极管的制作方法及发光二极管，属于半导体技术领域。所述发光二极管的制作方法包括：制作半导体层；在所述半导体层的表面形成第一导电金属薄膜；在所述第一导电金属薄膜上形成透明导电层；在所述透明导电层上形成第二导电金属薄膜；在所述第二导电金属薄膜上形成P电极；对形成所述P电极后的所述发光二极管进行退火，以使所述第一导电金属薄膜和所述第二导电金属薄膜中的金属扩散到所述透明导电层中。
发光二极管制作方法

[发明专利]发光二极管外延片的加工方法-CN202111197829.1在审
发明人：杜月欣;胡根水;任关涛;季佳俊 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的加工方法，属于半导体技术领域。加工方法包括：提供一外延片；在外延片的表面涂覆一层光刻胶；根据外延片的类型，在外延片表面设置不同类型的光刻版；通过光刻版对外延片进行曝光显影，在外延片的有效芯片区域形成图案；去除光刻胶；检查外延片的有效芯片区域内的图案是否满足要求；若外延片的有效芯片区域内的图案满足要求，对外延片进行刻蚀、腐蚀、或蒸镀处理，以去除外延片的无效芯片区域。采用该加工方法，无需人工吸除无效管芯区域，避免了人工吸除无效管芯造成的人力浪费、以及后道加吸去圈造成的管芯浪费，有效的提高了芯片制程的效率，自动去除LED外延片外圈的无效管芯区域。
发光二极管外延加工方法

[发明专利]一种垂直结构发光二极管芯片阵列及其制作方法-CN201710602259.7有效
发明人：叶青贤;任关涛;孙虎;李俊生 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构发光二极管芯片阵列的制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一设有多个芯片的导电基板，多个芯片间隔分布在导电基板的同一表面上，每个芯片包括依次层叠在导电基板上的P型氮化镓层、多量子阱层和N型高掺杂氮化镓层；在多个芯片之间形成绝缘材料层，绝缘材料层的厚度等于芯片的厚度，或者，绝缘材料层的厚度大于芯片的厚度，绝缘材料层超出芯片的部分的侧面与顶面之间的夹角大于120°；在芯片和绝缘材料层上形成透明导电薄膜；在透明导电薄膜上设置金属电极，形成垂直结构发光二极管芯片阵列。本发明利用绝缘材料层避免透明导电薄膜断裂，可有效提高芯片阵列的成品率。
一种垂直结构发光二极管芯片阵列及其制作方法

[发明专利]一种光刻版及应用光刻版制作发光二极管的方法-CN201610065484.7有效
发明人：闫晓红;曾凡志;任关涛;李俊生;叶青贤 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻版及应用光刻版制作发光二极管的方法，属于半导体技术领域。所述光刻版应用于制作发光二极管，发光二极管包括衬底、层叠在衬底上的外延片、以及设置在外延片上的电极，电极包括焊盘和沿垂直于发光二极管的生长方向延伸的电极线，光刻版为圆形板，圆形板上设有多个形状与焊盘和电极线一致的通孔，圆形板分为至少两个区域，至少两个区域包括一个圆形区域和至少一个圆环区域，至少两个区域的圆心均与圆形板的圆心重叠，同一区域内的通孔的线宽相同，不同区域内的通孔的线宽自圆形板的圆心向外逐个增大，通孔的线宽为通孔中与电极线的形状一致的区域的宽度。本发明提高了对档率。
一种光刻应用制作发光二极管方法

[发明专利]一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法-CN201710296450.3有效
发明人：叶青贤;任关涛;孙虎;李俊生 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。包括：提供一设有多个晶粒的转移基板，多个晶粒间隔分布在转移基板的同一表面上；在转移基板设有多个晶粒的表面涂覆光刻胶，光刻胶包括位于多个晶粒上的第一光刻胶和位于转移基板上的第二光刻胶，第二光刻胶的厚度大于P型氮化镓层、多量子阱层、N型氮化镓层和第一光刻胶的厚度之和；对光刻胶进行干法刻蚀，直至完全除去第一光刻胶；对多个晶粒中的缓冲层和未掺杂氮化镓层进行干法刻蚀，直至完全除去缓冲层和未掺杂氮化镓层；除去转移基板上剩余的第二光刻胶；分别在各个晶粒中的N型氮化镓层上形成电极，形成垂直结构发光二极管芯片。本发明工艺简单，实现容易。
一种垂直结构发光二极管芯片制作方法

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