[发明专利]高压MOS器件有效
| 申请号： | 201910240952.3 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109994551B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 董洁琼 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压MOS器件，包括衬底、阱引出层、浅沟槽隔离层、第一有源区延伸层、源极、漏极及栅极，阱引出层及浅沟槽隔离层均内嵌在衬底内，第一有源区延伸层内嵌在浅沟槽隔离层内且与阱引出层间隔设置，当源极的电压为0V时，第一有源区延伸层的电压也为0V，且第一有源区延伸层在衬底底面上的投影与阱引出层在衬底底面上的投影不重合，栅极设置在浅沟槽隔离层及第一有源区延伸层背离衬底底面的一侧，且栅极与浅沟槽隔离层及第一有源区延伸层绝缘设置，源极和漏极设置在栅极的相对两侧。通过在浅沟槽隔离层内增设第一有源区延伸层，并使第一有源区延伸层的电压维持在0V，从而导致高压MOS器件的耗尽区变小，降低了阈值电压，缓解了体效应。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种高压MOS器件，其特征在于，所述高压MOS器件包括衬底、阱引出层、浅沟槽隔离层、第一有源区延伸层、源极、漏极及栅极，所述阱引出层及所述浅沟槽隔离层均内嵌在所述衬底内，所述第一有源区延伸层内嵌在所述浅沟槽隔离层内且与所述阱引出层间隔设置，当所述源极的电压为0V时，所述第一有源区延伸层的电压也为0V，且所述第一有源区延伸层在所述衬底底面上的投影与所述阱引出层在所述衬底底面上的投影不重合，所述栅极设置在所述浅沟槽隔离层及所述第一有源区延伸层背离所述衬底底面的一侧，且所述栅极与所述浅沟槽隔离层及所述第一有源区延伸层绝缘设置，所述源极和所述漏极设置在所述栅极的相对两侧。
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