专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果19个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910113989.X有效
  • 王剑屏;董洁琼 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-02-14 - 2022-08-09 - H01L29/08
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括:衬底;栅极层,位于所述衬底表面;所述衬底内具有沿沟道长度方向分布于所述栅极层相对两侧的源极漂移区和漏极漂移区,所述漏极漂移区中包括漏极区以及位于所述漏极区与所述沟道之间的绝缘隔离区,所述绝缘隔离区的深度小于或等于所述漏极区的深度。本发明在增大半导体器件的关态源漏击穿电压的同时,优化了器件版图面积,使得半导体器件能够保持原有的版图尺寸。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [发明专利]高压MOS器件-CN201910240952.3有效
  • 董洁琼 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-03-26 - 2022-06-07 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种高压MOS器件,包括衬底、阱引出层、浅沟槽隔离层、第一有源区延伸层、源极、漏极及栅极,阱引出层及浅沟槽隔离层均内嵌在衬底内,第一有源区延伸层内嵌在浅沟槽隔离层内且与阱引出层间隔设置,当源极的电压为0V时,第一有源区延伸层的电压也为0V,且第一有源区延伸层在衬底底面上的投影与阱引出层在衬底底面上的投影不重合,栅极设置在浅沟槽隔离层及第一有源区延伸层背离衬底底面的一侧,且栅极与浅沟槽隔离层及第一有源区延伸层绝缘设置,源极和漏极设置在栅极的相对两侧。通过在浅沟槽隔离层内增设第一有源区延伸层,并使第一有源区延伸层的电压维持在0V,从而导致高压MOS器件的耗尽区变小,降低了阈值电压,缓解了体效应。
  • 高压mos器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910568036.2有效
  • 许文山;董洁琼 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-06-27 - 2020-07-24 - H01L21/8234
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,该制造方法包括以下步骤:提供半导体结构,所述半导体结构包括衬底,所述衬底具有高压器件区;在所述高压器件区之上形成栅氧化层;在所述衬底中定义逻辑器件区;在所述高压器件区和逻辑器件区表面形成氧化层,所述氧化层的厚度小于所述栅氧化层的厚度;在所述栅氧化层侧边的衬底中形成轻掺杂漏区;以及在所述氧化层之下的轻掺杂漏区中形成源极和漏极。本发明所提供的由高压器件和低压逻辑器件相结合的半导体器件具有良好的性能。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置-CN201410843455.X有效
  • 詹奕鹏;董洁琼;金华俊;周儒领;郭世璧;金凤吉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-12-25 - 2018-10-23 - H01L21/28
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置,涉及半导体技术领域。该方法包括:步骤S101:提供包括逻辑器件区和存储单元区的半导体衬底,在逻辑器件区形成逻辑器件的栅极和栅极硬掩膜,并在存储单元区形成存储器件的浮栅和栅间介电层;步骤S102:形成位于栅极两侧的栅极侧壁层和位于浮栅两侧的浮栅侧壁层;步骤S103:形成覆盖半导体衬底的导电材料层,对导电材料层进行刻蚀以形成位于逻辑器件区的导电互连件以及位于存储单元区且位于栅间介电层上方的控制栅。该方法通过在形成栅极硬掩膜的工艺中形成栅间介电层及在形成导电互连件的工艺中形成控制栅,有利于简化工艺和降低成本。该电子装置包括上述半导体器件,同样具有上述优点。
  • 一种半导体器件制造方法电子装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top