[发明专利]包括应力诱导层的半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910159324.2 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110649154A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李同规;金英铉;朴正桓;李正敏;洪京一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。 | ||
| 搜索关键词： | 应力诱导层 第一电极 覆盖层 半导体器件 磁隧道结 第二电极 张应力 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n在衬底上的第一电极；/n在所述第一电极上的磁隧道结(MTJ)；/n在所述磁隧道结上的覆盖层；/n在所述覆盖层上的应力诱导层，所述应力诱导层具有张应力；以及/n在所述应力诱导层上的第二电极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910159324.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多层金属薄膜键合层结构及其制备方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 磁穿隧接面及三维磁穿隧接面数组-201610805752.4
- 林育中 - 林育中
- 2016-09-07 - 2020-01-14 - H01L43/02
- 一种磁穿隧接面单元具有一第一电极，第一电极具有沿着实质上垂直于一基板之一主动表面之一方向延伸的一轴向。该磁穿隧接面单元更具有一固定层、一U形自由层、夹置于该固定层与该U形自由层之间的一穿隧层、及嵌于该U形自由层中的一第二电极。设于该第一电极与该第二电极之间的该固定层、该穿隧层、及该U形自由层构成一磁穿隧接面。该穿隧层亦可为U形。
- 垂直磁随机存取存储器的多层自旋轨道矩电极-201910456880.6
- T.戈萨维;S.马尼帕特鲁尼;林家庆;K.奥古斯;C.维根;A.史密斯;佐藤德之;K.奥布里恩;B.布福德;I.杨;M.D.T.拉曼 - 英特尔公司
- 2019-05-29 - 2020-01-07 - H01L43/02
- 本文中的实施例涉及用于制造自旋轨道矩（SOT）电极的系统、设备和/或过程，SOT电极包含：具有与磁性隧道结（MTJ）的自由层耦合的第一面的第一层；以及与第一层的与第一面相对的第二面耦合的第二层，其中第一SOT层中的电阻的值低于第二SOT层中的电阻的值，并且其中施加到SOT电极的电流将使得电流优先在第一SOT层中流动，以使得自由层的磁极化改变方向。在SOT电极的制造期间，第二层可充当蚀刻停止处。
- 具有分层电极的磁性存储器器件和制造方法-201910457183.2
- J.布罗克曼;C.普尔斯;S.吴;C.韦甘德;T.拉曼;D.奥埃莱特;A.史密斯;A.史密斯;P.金特罗;J.阿尔扎特-维纳斯科;O.戈隆茨卡 - 英特尔公司
- 2019-05-29 - 2020-01-07 - H01L43/02
- 公开了具有分层电极的磁性存储器器件和制造方法。一种存储器器件制造方法，所述存储器器件包括第一电极，所述第一电极具有包括钛和氮的第一导电层，以及在第一导电层上的包括钽和氮的第二导电层。所述存储器器件此外在第一电极上包括磁性隧道结（MTJ）。在一些实施例中，第一导电层的邻近于与第二导电层的界面的至少一部分包括氧。
- 包括应力诱导层的半导体器件及其形成方法-201910159324.2
- 李同规;金英铉;朴正桓;李正敏;洪京一 - 三星电子株式会社
- 2019-03-04 - 2020-01-03 - H01L43/02
- 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。
- 磁阻效应器件-201710096991.1
- 山根健量;柴田哲也;占部顺一郎;志村淳 - TDK株式会社
- 2017-02-22 - 2020-01-03 - H01L43/02
- 本发明公开了一种磁阻效应器件，旨在提供一种能够实现利用了磁阻效应元件的高频滤波器等高频器件的磁阻效应器件。本发明的技术要点是，磁阻效应器件(100)的特征在于，具备：具有磁化固定层(2)、隔离层(3)及磁化自由层(4)的磁阻效应元件(1a)、第一端口(9a)、第二端口(9b)、与第一端口(9a)连接，供与输入至第一端口(9a)的高频信号相对应的高频电流流动的第一信号线路(7a)、第二信号线路(7b)、直流电流输入端子(11)，磁阻效应元件(1a)以由第一信号线路(7a)产生的高频磁场施加在磁化自由层(4)的方式配置，磁阻效应元件(1a)和第二端口(9b)经由第二信号线路(7b)相连接，直流电流输入端子(11)与磁阻效应元件(1a)连接。
- 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-201920860939.3
- 沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 - 深圳市思品科技有限公司
- 2019-06-10 - 2019-12-27 - H01L43/02
- 本实用新型公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本实用新型提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
- 具有连续绝缘的电流传感器封装-201910526268.1
- R·M·沙勒;V·施特鲁茨 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2019-06-14 - 2019-12-24 - H01L43/02
- 一种电流传感器封装(100)包括电流路径(102)和感测装置(104)。所述感测装置与所述电流路径(102)间隔开，所述感测装置(104)被配置为感测由流经所述电流路径(102)的电流产生的磁场。此外，感测装置(104)包括传感器元件(106)。该感测装置(104)被电连接到导电迹线(112)。密封件(116)在所述电流路径(102)和所述感测装置(104)之间连续延伸。
- 使用外部铁磁偏置膜的压控磁各向异性切换装置-201610826624.8
- J·A·凯坦 - HGST荷兰公司
- 2016-06-02 - 2019-11-26 - H01L43/02
- 本公开的方面提供磁致电阻随机存取存储器(MRAM)装置及其制造方法。该MRAM装置一般包含：基板，设置在基板上的至少一个磁隧道结(MTJ)堆叠体，其中MTJ堆叠体包含在具有固定磁化的第一铁磁层与具有不固定磁化的第二铁磁层之间的隧道势垒层，以及设置为与第二铁磁层相邻的磁体。
- 专利分类
