[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，在形成第一应力层和第二应力层之后，形成覆盖第一应力层的第一覆盖层和覆盖第二应力层的第二覆盖层，并在形成第一覆盖层和第二覆盖层之后，形成填充于第一覆盖层和第二覆盖层之间间隙内的间隔层。所述间隔层表面高于第一覆盖层和第二覆盖层的顶角位置，能够限制第一覆盖层和第二覆盖层的顶角上生长第三覆盖层和第四覆盖层，从而限制第三覆盖层和第四覆盖层相互连接，进而限制第一晶体管区域和第二晶体管区域所形成的金属硅化物相互连接。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一晶体管区域和第二晶体管区域；在第一晶体管区域的基底内形成第一应力层，并在第二晶体管区域的基底内形成第二应力层，且所述基底暴露出所述第一应力层和第二应力层；通过外延生长在第一应力层表面形成第一覆盖层，在第二应力层表面形成第二覆盖层，所述第一覆盖层和第二覆盖层之间具有暴露出基底表面的间隙，且所述第一覆盖层和第二覆盖层的相邻侧壁表面分别具有相向的顶角；形成填充在所述间隙内的间隔层，所述间隔层表面高于所述顶角的位置，且所述间隔层暴露出所述第一覆盖层和第二覆盖层的顶部表面；通过外延生长在所述第一覆盖层上形成第三覆盖层，并在所述第二覆盖层上形成第四覆盖层。