[发明专利]用于形成封装的光电传感器阵列的方法和光电传感器集成电路在审
| 申请号： | 201910064227.5 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110310918A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 钱胤;缪佳君;张明;戴幸志 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 封装的光电传感器IC通过以下制备：制造具有多个键合焊盘的集成电路(IC)；从IC背面穿过半导体形成通孔以暴露第一金属层；在通孔中沉积导电金属塞；沉积互连金属；在互连金属和穿过其的开口上沉积焊料掩膜介质；在互连金属上在焊料掩膜介质中的开口处形成焊料凸点；和将焊料凸点键合至封装的导体。光电传感器IC具有衬底；由形成在衬底的第一表面上的介质层隔开的多个金属层，在衬底中形成有晶体管；由多个金属层的至少第一金属层形成的多个键合焊盘结构；穿过半导体衬底的第二表面上的介质形成的具有金属塞的通孔，介质上的形成连接图形的互连金属，和联接至各个导电塞和焊料凸点的互连层的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 互连金属 衬底 光电传感器 焊料凸点 通孔 第一金属层 焊料掩膜 键合焊盘 金属层 穿过 沉积 封装 光电传感器阵列 沉积导电金属 集成电路封装 半导体形成 导体 第二表面 第一表面 连接图形 导电塞 互连层 介质层 金属塞 开口处 晶体管 隔开 键合 制备 联接 集成电路 半导体 背面 开口 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成封装的光电传感器阵列的方法，包括：制造具有多个键合焊盘的第一集成电路；穿过所述第一集成电路的半导体形成通孔以暴露所述多个键合焊盘的第一金属层；在所述通孔中沉积导电金属塞；沉积和掩膜与所述导电金属塞联接的互连金属；在所述互连金属上沉积焊料掩膜介质和穿过所述焊料掩膜介质形成开口；在所述焊料掩膜介质中的所述开口处形成附接至所述互连金属的焊料凸点；和将所述焊料凸点键合至集成电路封装的导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
