[发明专利]一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS有效
| 申请号： | 201910055794.4 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109830524B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;田甜;李少红;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括兼做漏极的N型衬底及N型漂移区，N型漂移区内设有第一P柱，第一P柱的顶部设有第一P型体区，在第一P型体区上设有NMOS管，所述NMOS管与所述第一P型体区之间设有SiO2隔离层，所述第一P型体区上设有第一P型重掺杂区，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管的源极金属及第一P型重掺杂区相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区上设有肖特基接触且肖特基接触与所述NMOS管的漏极连接，以形成阴极和阳极分别连接于本发明所提结构漏极与源极的肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 恢复 电荷 功率 vdmos | ||
【主权项】：
1.一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括一超结VDMOS，所述超结VDMOS包括兼做漏极的N型衬底(1)和设在N型衬底(1)上的N型漂移区(2)，其特征在于，在超结VDMOS的N型漂移区(2)内设有第一P柱(31)，在第一P柱(31)的顶部设有第一P型体区(41)且第一P型体区(41)的顶面与N型漂移区(2)的顶面平齐，在第一P型体区(41)上设有NMOS管(101)，在所述NMOS管(101)与所述第一P型体区(41)之间设有SiO2隔离层(12)，在所述第一P型体区(41)上还设有第一P型重掺杂区(10A)，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管(101)的源极金属及第一P型重掺杂区(10A)相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管(101)的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管(101)的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区(2)上还设有肖特基接触(9)且肖特基接触(9)与所述NMOS管(101)的漏极连接，并由此形成阴极连接于所述超结功率VDMOS漏极、阳极连接于所述超结功率VDMOS源极的肖特基二极管。
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