[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910040653.5 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446228A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具备：第一介电质层，其沉积在半导体衬底上；第二介电质层，其沉积在所述第一介电质层上；接触孔，分别对所述第一介电质层和所述第二介电质层进行蚀刻而形成，具有高深宽比，且具有垂直轮廓或者正面轮廓；第一金属层，其沉积在所述接触孔中；阻挡层，其形成在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方；以及第二金属层，其沉积在所述阻挡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910040653.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种稳定效果好的水土保持监测装置
- 下一篇：锅炉系统
