[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第一介电质层，其沉积在半导体衬底上；

第二介电质层，其沉积在所述第一介电质层上；

接触孔，分别对所述第一介电质层和所述第二介电质层进行蚀刻而形成，与所述衬底连接，具有高深宽比，且具有垂直轮廓或者正面轮廓；

第一金属层，其沉积在所述接触孔中；

阻挡层，其形成在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方；以及

第二金属层，其沉积在所述阻挡层上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具备：

第三介电质层，其沉积在所述第二介电质层上，

所述第三介电质层具有对该所述第三介电质层进行蚀刻而形成的凹槽，所述凹槽的底部与所述接触孔连通，

所述阻挡层沉积在所述凹槽内槽壁。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一介电质层在高压、低射频功率且中等氧气流量的条件下沉积在所述半导体衬底上，

所述第二介电质层在低压、高射频功率且低氧气流量的条件下沉积在所述第一介电质层上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一介电质层和所述第二介电质层具有不同的湿蚀刻速率比。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一介电质层的湿蚀刻速率比为2.8以上；

所述第二介电质层的湿蚀刻速率比为2.6以下。

6.根据权利要求1至5的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

形成所述第一金属层的金属为钨，

形成所述阻挡层的金属为钽，

形成所述第二金属层的金属为铜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述阻挡层在交流偏置功率低的条件下形成，且厚度为200A。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在半导体衬底上沉积第一介电质层；

在所述第一介电质层上沉积第二介电质层；

分别对所述第一介电质层和第二介电质层进行蚀刻，形成具有高深宽比且具有垂直轮廓或者正面轮廓的接触孔；

在所述接触孔中沉积第一金属层；

在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方形成阻挡层；

在所述阻挡层上沉积第二金属层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方形成阻挡层的步骤包括以下步骤：

在所述第二介电质上沉积第三介电质层，并对所述第三介电质层进行蚀刻而形成凹槽，所述凹槽的底部与所述接触孔连通；以及

在所述凹槽上沉积阻挡层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在高压、低射频功率且中等氧气流量的条件下，在半导体衬底上沉积第一介电质层；以及

在低压、高射频功率且低氧气流量的条件下，在所述第一介电质层上沉积第二介电质层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一介电质层和所述第二介电质层具有不同的湿蚀刻速率比。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一介电质层的湿蚀刻速率比为2.8以上；

所述第二介电质层的湿蚀刻速率比为2.6以下。

13.根据权利要求8至12的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

形成所述第一金属层的金属为钨，

形成所述阻挡层的金属为钽，

形成所述第二金属层的金属为铜。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在交流偏置功率低的条件下，形成厚度为200A的所述阻挡层。