[发明专利]衬底干燥方法及衬底干燥装置有效
| 申请号： | 201880058723.3 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111066128B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 塙洋祐;佐佐木悠太 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;F26B3/04;F26B21/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 对附着有液体的衬底的正面供给包含升华性物质的处理液而形成液膜，使所述液膜凝固而变成凝固体。对形成在衬底正面的凝固体以在衬底的整面每单位面积的流量变成固定的方式供给氮气。在衬底的整面，凝固体均匀地升华，凝固体的气体固体界面朝与衬底正面垂直的方向移动。图案的凸部不会因凝固体的气体固体界面移动而被牵引，能够防止形成在衬底正面的图案倒塌，并且使该正面良好地干燥。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 干燥 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
