[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质有效
申请号: | 201880057801.8 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN111066122B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 佐藤明博;原大介 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455;H01L21/31;H01L21/318 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;李平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够均匀地处理基板的技术。根据本发明的一方案,提供一种技术,其具有:处理室,其处理基板;原料气体供给部,其设于处理室内并供给原料气体;反应气体供给部,其设于处理室内并供给反应气体;排气部,其对处理室内进行排气;等离子生成部,其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部,该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过处理室的中心和排气部的直线配置,且将反应气体通过等离子化而活化;以及气体整流部件,其具备第一分隔部件和第二分隔部件,该第一分隔部件沿着原料气体供给部与第一等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的边缘部一定距离的位置,该第二分隔部件沿着原料气体供给部与第二等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的外周部一定距离的位置。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造