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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN201880057801.8有效
发明人： 佐藤明博;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够均匀地处理基板的技术。根据本发明的一方案，提供一种技术，其具有：处理室，其处理基板；原料气体供给部，其设于处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于处理室内并供给反应气体；排气部，其对处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过处理室的中心和排气部的直线配置，且将反应气体通过等离子化而活化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着原料气体供给部与第一等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着原料气体供给部与第二等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的外周部一定距离的位置。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、隔热件组件及半导体装置的制造方法-CN202180007864.4在审
发明人： 佐藤明博;西堂周平;笠松健太 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种结构，具备：基板保持件，其在下部具有隔热区域；第一反应管，其在内部收纳有基板保持件，上端及下端开口；第二反应管，其上端封闭且下端开口；炉口凸缘部，其在第一反应管与第二反应管之间的第一空间具有保持部；以及加热部，其以覆盖第二反应管的方式设置，且对载置于第一反应管内的基板保持件的基板进行加热，该结构还具备：第一高反射部件，其设置于隔热区域，红外线的反射率比隔热件高；以及第二高反射部件，其在第一空间内设置于第二反应管的下部且第二反应管的内壁，红外线的反射率比配置于炉口凸缘部的上端所设置的保持部的隔热件高。
处理装置隔热组件半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、零件的管理方法、基板处理装置及记录介质-CN201910554484.7在审
发明人：西田政哉;嶋信人;佐藤明博;桑田阳介;前田贤一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，目的在于提供一种即使因长期运作或外在因素而导致特征值变动也会防止因阀的特征值的变动而发生产品被批退的技术。该技术具有执行工艺配方的工序和执行修正配方的工序，其中，工艺配方供给处理气体来处理基板，修正配方确认设于向处理炉供给处理气体的处理气体供给管线上的供给阀的特征值，执行修正配方的工序具有：在将设于处理炉的排气侧的调节处理炉内的压力的调节阀设为全开的状态下，以固定时间向处理气体供给管线供给非活性气体的工序；在将调节阀设为全开的状态下，向处理气体供给管线供给非活性气体并且检测供给阀的压力值的工序；及基于检测到的压力值来计算设有供给阀的供给管内的特征值的工序。
处理气体供给处理炉供给阀配方非活性气体处理气体工艺配方修正全开半导体器件特征值变动处理基板外在因素供给管检测排气运作制造

[发明专利]等离子体生成装置、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201780031471.0在审
发明人： 佐藤明博;竹田刚;广地志有 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供能够均匀地处理衬底的技术。提供等离子体生成装置及使用其的技术，所述等离子体生成装置具有连接于高频电源的第1电极和接地的第2电极，上述第1电极与上述第2电极以合计为3根以上的奇数根交替配置，上述第1电极与上述第2电极中的任一者的电极相对于相邻的另两根电极而被共用。
电极等离子体生成装置衬底处理装置半导体器件高频电源交替配置接地奇数根衬底制造

[外观设计]反应管-CN201830008627.0有效
发明人： 佐藤明博 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：反应管。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为反应管使用。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．本产品为透明材质。
外观设计反应管透明材质图片

[发明专利]衬底处理装置和方法以及半导体器件制造方法-CN201210041776.9无效
发明人：室林正季;山口天和;白子贤治;西堂周平;佐藤明博;今井义则 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及衬底处理装置和方法以及半导体器件制造方法。衬底处理装置包括：处理室，配置成处理多个衬底；衬底保持物，容纳于处理室内并且配置成以竖直分隔的关系保持衬底；热绝缘部分，配置成在处理室内从下方支撑衬底保持物；加热单元，提供为包围处理室内的衬底容纳区域；以及气体供应系统，配置成至少向处理室内的热绝缘部分容纳区域供应指定气体。
衬底处理装置方法以及半导体器件制造