[发明专利]半导体芯片的制造方法

摘要

从表面侧照射SF6气体等离子体，由此蚀刻在切割道部分露出的半导体晶片(1)，分割成各个半导体的芯片(7)而进行单片化。接着，从掩模材料层(3b)的表面侧贴合剥离带(16)。剥离带(16)通过将粘合剂层(16b)设置于基材膜(16a)而构成。在贴合剥离带(16)并使其固化后，将剥离带(16)与掩模材料层(3b)一起剥离。即，将掩模材料层(3b)粘接于剥离带(16)，将掩模材料层(3b)从图案面(2)剥离。

主权项

1.一种半导体芯片制造方法，其为半导体芯片的制造方法，其特征在于，具备下述工序：工序a，将具有表面保护带和设置于上述表面保护带上的掩模材料层的掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧，对上述半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的上述半导体晶片的背面，利用环形框进行支持固定；工序b，将上述表面保护带从上述掩模一体型表面保护带剥离，使上述掩模材料层露出于表面后，利用激光将上述掩模材料层中与上述半导体晶片的切割道相当的部分切断，使上述半导体晶片的上述切割道开口；等离子体切割工序c，通过等离子体照射以上述切割道分割上述半导体晶片，单片化为半导体芯片；和工序d，将剥离带贴合于上述掩模材料层，将上述剥离带与上述掩模材料层一起剥离而去除上述掩模材料层。