[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811269661.9 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111106158A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 江涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有金属栅极层；在金属栅极层的顶部形成保护层；在基底上形成层间介质层，层间介质层覆盖保护层；形成位于所述层间介质层内的初始接触孔，所述初始接触孔露出所述金属栅极层上方的所述保护层；去除初始接触孔中的聚合物；在去除所述聚合物后，形成贯穿所述层间介质层和保护层的接触孔，所述接触孔暴露出所述金属栅极层；填充所述接触孔形成接触孔插塞。本发明通过保护层，在降低金属栅极层受损的概率的同时，提高对初始接触孔中聚合物的去除效果，从而提高导电材料在接触孔中的填充能力、降低发生接触孔断开问题的概率，进而提高半导体结构的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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