[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201811123332.3 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109786365B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 尤宏志;陈建茂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例，提供了一种半导体器件，其包括：设置在半导体衬底上的金属薄膜；以及设置在金属薄膜上的第一接触结构和第二接触结构，其中，第一接触结构和第二接触结构通过包括至少一种耐抛光材料的伪层彼此横向地间隔开。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：金属薄膜，设置在半导体衬底上；以及第一接触结构和第二接触结构，设置在所述金属薄膜上，其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构通过包括至少一种耐抛光材料的伪层彼此横向地间隔开。
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