[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 201811034374.X | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109256330A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种光刻方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团和/或负电荷；对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源适于产生酸性基团和/或正电荷；在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。本发明技术方案可以改善光刻效果，并且降低工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 表面处理工艺 衬底 光刻 半导体 工艺复杂度 光刻工艺 光阻材料 碱性基团 酸性基团 反应源 负电荷 正电荷 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团和/或负电荷；对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源适于产生酸性基团和/或正电荷；在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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