[发明专利]一种周长毫米级元件共晶焊接装置及焊接方法有效
| 申请号： | 201810940681.8 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109256337B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李寿胜;夏俊生;臧子昂 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B23K1/20;B23K1/008 |
| 代理公司： | 34113 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种周长毫米级元件共晶焊接装置，包括底板，底板板面设有一组矩形定位槽，矩形定位槽包含相连通构成阶梯槽的上定位槽与下定位槽，下定位槽用于容置陶瓷基板；所述焊接装置还包括定位板与压板，定位板能够嵌设于上定位槽内，定位板板面一组定位孔，定位孔按照待焊接元件的位置分布；所述压板底面设有一组压块，压块与定位孔一一对应配合；通过预处理、焊片的取用、基板放置、待焊接元件放置、共晶烧结、取件、键合过渡片放置、键合过渡片共晶烧结、取件及清洗步骤即完成共晶焊接；本发明实现焊接后所有键合过渡片或半导体管芯平整，高度一致，满足焊接检验和键合工艺要求，提高粗丝键合成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 键合 共晶焊接 定位孔 过渡片 焊接 矩形定位槽 焊接元件 上定位槽 下定位槽 烧结 定位板 毫米级 共晶 取件 压块 周长 预处理 底板 半导体管芯 底板板面 定位板板 高度一致 焊接装置 基板放置 键合工艺 陶瓷基板 位置分布 压板底面 成品率 阶梯槽 粗丝 焊片 嵌设 取用 容置 压板 清洗 平整 检验 配合 | ||
【主权项】：
1.一种毫米级元件共晶焊接装置，其特征在于，包括底板，底板板面设有一组矩形定位槽，矩形定位槽包含相连通构成阶梯槽的上定位槽与下定位槽，下定位槽用于容置陶瓷基板；所述焊接装置还包括定位板与压板，定位板能够嵌设于上定位槽内，定位板板面一组定位孔，定位孔按照待焊接元件的位置分布；所述压板底面设有一组压块，压块与定位孔一一对应配合；所述定位板板面还设有过渡片开口。/n
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- 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分；以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后，在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，所述平面金属散热器界面表面：从所述模制化合物主体暴露；以及基本上没有所述金属涂层。
- 一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法-201910904843.7
- 郁发新;冯光建;王志宇;张兵;周琪 - 杭州臻镭微波技术有限公司
- 2019-09-24 - 2020-01-24 - H01L21/48
- 本发明公开了一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法，具体包括如下步骤：101)标尺制作步骤、102)TSV孔制作步骤、103)键合步骤；本发明提供能满足多种液体流速需求的一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法。
- 半导体装置及半导体装置的制造方法-201910576377.4
- 原田健司;曾根田真也 - 三菱电机株式会社
- 2019-06-28 - 2020-01-14 - H01L21/48
- 提供一种能够提高半导体装置的耐久性的技术。半导体装置具备：半导体衬底、半导体衬底之上的电极、电极之上的焊料接合用金属膜、焊料接合用金属膜之上的防氧化用金属膜、以及防氧化用金属膜之上的焊料层。在从防氧化用金属膜侧俯视观察焊料接合用金属膜及防氧化用金属膜时，焊料接合用金属膜具有不与防氧化用金属膜重叠的第1部分。
- 焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法-201910965053.X
- 王春林;邹文;胡胜 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 2019-10-11 - 2020-01-14 - H01L21/48
- 本发明提供了一种焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法，所述焊盘的保护方法包括：提供一具有焊盘的晶圆；形成保护层至少覆盖于所述焊盘的表面上，以在需要将所述焊盘向外引出之前保护所述焊盘，所述保护层的材质为能被预设溶剂溶解的可溶性材料；以及，在需要将所述焊盘向外引出时，采用所述预设溶剂去除所述保护层，以重新暴露出所述焊盘。本发明的技术方案避免所述焊盘上产生杂质缺陷，进而避免导致在将所述焊盘向外引出时的焊接不良，从而避免导致封装产品的不良。
- 具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装-201911093393.4
- 罗得之;邓添禧;S·小佩德荣;S·西里诺拉库尔 - 联测总部私人有限公司
- 2013-07-03 - 2020-01-14 - H01L21/48
- 本发明的实施例是针对于一种具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装及其制造方法。对铜层的两个表面进行半蚀刻以界定封装接触阵列和裸片附接焊盘。为了实现更佳的可靠性，将每个裸片附接焊盘完全嵌入密封材料以提供良好的机械锁定特征。在一些实施例中，所述接触包括四个有源拐角接触。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
