“方绪南”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果40个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111143095.9在审
发明人：叶育源;方绪南;陈俊玮 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：硅基板；发光元件，设置在硅基板的第一表面；阻挡层，位于发光元件和硅基板之间；硅基板的第二表面设置有导电凸块和阻隔部件，其中，阻隔部件位于导电凸块的内侧；或者，硅基板的第二表面设置有导电凸块和残留痕迹，其中，残留痕迹位于导电凸块的内侧，残留痕迹为将预先设置的阻隔部件去除后留存。该半导体封装装置能够防止气泡挤压导电凸块使其出现变形，有利于顺利实现硅基板的对外连接，提高产品良率。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构-CN202110540842.6在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一芯片，位于散热结构的容置空间内，基板，位于散热结构下方，散热管，散热管的第一段贯穿基板和散热结构，第一段的端部位于容置空间内并且不接触第一芯片。本发明的目的在于提供一种半导体封装结构，以增强半导体封装结构的散热性能。
半导体封装结构

[实用新型]半导体封装装置-CN202221118976.5有效
发明人： 方绪南;陈俊玮;江照泽 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体封装装置，包括：载板，包括第一焊盘；电子元件，设置于所述载板上，并包括第二焊盘，所述第一焊盘与所述第二焊盘电连接，其中，所述第一焊盘的宽度大于所述第二焊盘。
半导体封装装置

[发明专利]半导体装置封装和其制造方法-CN201811167799.8有效
发明人： 方绪南;庄淳钧;叶勇谊;李明锦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体装置封装包括第一重布层(RDL)、第一裸片、第二裸片、第二RDL和封装体。第一裸片设置在第一RDL上并且电连接到第一RDL。第一裸片具有第一电性触点。第二裸片设置在第一RDL上并且电连接到第一RDL。第二裸片具有第一电性触点。第二RDL被第一RDL包围。第二RDL具有电连接到第一裸片的第一电性触点的第一电性触点和电连接到第二裸片的第一电性触点的第二电性触点。第二RDL的第一电性触点的尺寸大于第二RDL的第二电性触点的尺寸。
半导体装置封装制造方法

[实用新型]半导体封装结构-CN202221172449.2有效
发明人：陈俊玮;叶育源;方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/02345 文献下载
摘要：本申请提供的半导体封装结构，将第一电极和第二电极分别设于电子元件的两侧面，利用倒装技术(Flip Chip)接合基板与电子元件，可以降低电子元件掉落或损坏的风险。另外，还可以在基板设计凹部以使电子元件的至少一部分嵌入基板中，减少凸起面积，进一步降低电子元件掉落或损坏的风险。
半导体封装结构

[发明专利]封装结构、组合件结构及其制造方法-CN202011620913.5在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及封装结构、组合件结构和其制造方法。所述封装结构包含至少一个电子装置、保护层和封装体。所述电子装置具有第一表面，且包含安置为邻近于其所述第一表面的多个凸块。所述凸块中的每一个具有第一表面。所述保护层覆盖所述电子装置的所述凸块和所述第一表面，且具有第一表面。所述封装体覆盖所述保护层和所述电子装置的至少一部分，且具有第一表面。所述凸块的所述第一表面、所述保护层的所述第一表面和所述封装体的所述第一表面与彼此大体上共平面。
封装结构组合及其制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111635470.1在审
发明人：江照泽;方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开提出了半导体封装装置及其制造方法，通过在导电垫上延伸出多个纳米线，并在纳米线间加上液态导电材料进行接合作业，形成位于纳米线包覆范围内的导电互连体，来解决纳米线结合所存在的问题。液态导电材料形成导电互连体填充纳米线间的空隙，可有效避免空洞问题；导电互连体起到电连接作用，可以避免一侧的纳米线与对侧的导电垫无法完全结合的问题；液态导电材料形成导电互连体，位于纳米线的包覆范围内，不易造成桥接现象。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111294744.5在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过采用Face up的方法将电子元件主动面结合至载板，再以金属牺牲层覆盖电子元件主动面后模封，而后研磨以暴露电子元件主动面设置的金属牺牲层，再去除金属牺牲层后暴露电子元件主动面的导电垫，并继续形成重布线层，由于没有形成导电柱，可以减少形成导电柱的成本；且电子元件非主动面未设置有模封层不需要单独研磨，可以减少研磨电子元件非主动面模封层的成本；由于采用Face up方法，无需倒装程序，可以提高UPH，进而进一步降低产品整体制造成本。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111187413.1在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一电子元件；第二电子元件，设置在第一电子元件上，第二电子元件的宽度小于第一电子元件的宽度，第一电子元件上未被第二电子元件覆盖的区域设置有导电垫，导电垫上设置有第一线路层，导电垫和第一线路层之间存在接合区域。该半导体封装装置能够利用第一线路层将第一电子元件内的电信号导出，无需在第一电子元件上直接制作导电柱，有利于提高产品良率。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]扇出型封装结构及其形成方法-CN202111098968.9在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构，包括：并排设置的第一电子元件和第二电子元件；伪芯片，连续地覆盖第一电子元件和第二电子元件，在伪芯片和第一电子元件、第二电子元件接合的交界面上，第一电子元件的硅和第二电子元件的硅与伪芯片的硅之间的晶格是连续的。本发明的目的在于提供一种扇出型封装结构及其形成方法，以提高扇出型封装结构的良率。
扇出型封装结构及其形成方法

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN202110549275.0在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种封装结构和一种用于制造封装结构的方法。所述封装结构包含第一布线结构和至少一个电子装置。所述至少一个电子装置通过至少两个结合结构连接到所述第一布线结构。所述至少两个结合结构分别包含不同材料。
封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110788450.1在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供的半导体结构及其制造方法，在混合键合后，先形成包覆芯片的临时支撑层，再于临时支撑层的基础上整体进行研磨，因研磨时有临时支撑层包围芯片的四周，可有效避免研磨时所产生的侧向剪应力，以避免芯片碎裂/剥落等问题的发生，有利于提高产品的良率。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN202110408837.X在审
发明人： 方绪南;庄淳钧 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本發明提供一种半导体封装结构和一种用于制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含第一钝化层、第一金属层和第一半导体裸片。所述第一金属层嵌入于所述第一钝化层中。所述第一金属层界定第一穿孔。所述第一半导体裸片安置于所述第一钝化层上。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置封装和其制造方法-CN202110074534.9在审
发明人： 方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置封装和其制造方法。所述半导体装置封装包含第一半导体元件、第一重布层、第二重布层和导电通孔。所述第一半导体元件具有第一主动表面和与所述第一主动表面相对的第一背面。所述第一重布层安置在所述第一半导体元件的所述第一背面附近。所述第二重布层安置在所述第一半导体元件的所述第一主动表面附近。所述导电通孔安置在所述第一重布层与所述第二重布层之间，其中所述导电通孔从所述第二重布层到所述第一重布层向内倾斜。
半导体装置封装制造方法

[发明专利]半导体封装结构和其制造方法-CN202011508384.X在审
发明人： 方绪南;庄淳钧 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体封装结构和用于制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包括至少一个第一半导体裸片、至少一个第二半导体裸片和封装体。所述第一半导体裸片具有第一表面，并且包括设置为邻近所述第一表面的多个第一柱结构。所述第二半导体裸片电连接所述第一半导体裸片。所述封装体覆盖所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片。所述封装体的下表面与所述第一柱结构中的每一个的端面和所述第二半导体裸片的表面实质上共平面。
半导体封装结构制造方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 40 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top