[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810587823.7 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110581174B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的鳍部，基底包括相邻接的第一区域和第二区域，鳍部沿延伸方向横跨第一区域和第二区域，第一区域基底内形成有阱区，第二区域基底内形成有漂移区；形成覆盖鳍部顶部表面和侧壁表面的栅氧化层；在第一区域和第二区域交界处的栅氧化层上形成栅极层，栅极层横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部和部分侧壁的栅氧化层；在栅极层一侧的阱区内形成源区，在栅极层另一侧的漂移区内形成漏区；形成源区和漏区后，依次刻蚀位于漏区一侧部分第二区域的栅极层、栅氧化层以及漂移区部分厚度基底，在漂移区内形成隔离槽；在隔离槽内形成隔离层。本发明有利于提升LDMOS的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部，所述基底包括相邻接的第一区域和第二区域，所述鳍部沿延伸方向横跨所述第一区域和第二区域，其中，所述第一区域的基底内形成有阱区，所述第二区域的基底内形成有漂移区，所述阱区和漂移区内具有掺杂离子，且所述漂移区内的掺杂离子类型与所述阱区内的掺杂离子类型不同；/n形成覆盖所述鳍部顶部表面和侧壁表面的栅氧化层；/n在所述第一区域和第二区域交界处的栅氧化层上形成栅极层，所述栅极层横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁上的栅氧化层；/n在所述栅极层一侧的第一区域鳍部内形成源区，所述源区位于所述阱区内，在所述栅极层另一侧的第二区域鳍部内形成漏区，所述漏区位于所述漂移区内，所述源区和漏区内具有掺杂离子，且所述源区和漏区内的掺杂离子与所述漂移区内的掺杂离子类型相同；/n形成所述源区和漏区后，依次刻蚀所述第二区域中位于所述漏区一侧部分区域的栅极层、栅氧化层以及漂移区部分厚度的基底，在所述漂移区内形成隔离槽，且剩余栅极层覆盖所述第一区域和第二区域交界处的栅氧化层；/n在所述隔离槽内形成隔离层。/n
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