[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201810301083.6 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110350032A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 汪广羊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括半导体衬底，半导体衬底中形成有体区和漂移区，体区内形成有源区，漂移区内形成有漏区；场氧化层，场氧化层位于漂移区上且漂移区包围至少部分场氧化层；场板结构，场板结构跨设在半导体衬底和场氧化层上，并延伸到体区上；多个接触孔，接触孔深入场氧化层中，其中靠近源区的接触孔深入场氧化层中的深度大于靠近漏区的接触孔深入场氧化层中的深度。通过形成深入场氧化层的接触孔，并控制靠近源区的接触孔深入场氧化层中的深度大于靠近漏区的接触孔深入场氧化层中的深度，既增强了漂移区耗尽，又最大限度地优化了器件的击穿电压和导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 场氧化层 接触孔 漂移区 衬底 漏区 半导体 半导体器件 场板结构 靠近源 体区 漂移 导通电阻 击穿电压 耗尽 源区 包围 延伸 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成体区和漂移区，所述体区内形成源区，所述漂移区内形成漏区；场氧化层，所述场氧化层位于所述漂移区上且所述漂移区包围至少部分所述场氧化层；场板结构，所述场板结构跨设在所述半导体衬底和所述场氧化层上，并延伸到所述体区上；多个接触孔，所述接触孔深入所述场氧化层中，其中靠近所述源区的接触孔深入所述场氧化层中的深度大于靠近所述漏区的接触孔深入所述场氧化层中的深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810301083.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
