[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810048650.1 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110060955B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 许闵翔;柯元富;张志圣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法包括，其主要先形成一金属间介电层于一基底上，形成一开口于金属间介电层内，进行一处理制作工艺将部分金属间介电层转换为一受损层于开口旁，形成一保护层于该受损层侧壁，形成一导电层于开口内，之后再去除受损层以形成一气孔于保护层旁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成一金属间介电层于一基底上；形成一开口于该金属间介电层内；进行一处理制作工艺将部分该金属间介电层转换为一受损层于该开口旁；形成一保护层于该受损层侧壁；形成一金属层于该开口内；以及去除该受损层以形成一气孔于该保护层旁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
