[发明专利]具有高效散热结构的集成电路有效

专利信息
申请号: 201810040755.2 申请日: 2018-01-16
公开(公告)号: CN108321131B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 汤和平;汤海滨;汤丽婉;汤丽勤;汤远照;张水机;汤进生;汤炀 申请(专利权)人: 厦门科一半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/13;B82Y30/00
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 李伊飏
地址: 361101 福建省厦门市翔*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种具有高效散热结构的集成电路,其包括:表面设有衬底焊盘的第一衬底、设于第一衬底之上的半导体衬底、连接第一衬底的衬底焊盘和半导体衬底的底面的连接件、以及设于半导体衬底上的芯片,其中,所述半导体衬底包括设于芯片下部的绝缘层以及位于绝缘层下部的支撑衬底;所述支撑衬底上设有若干个阵列排列的贯穿通孔,各贯穿通孔交错分布且相互贯通,使支撑衬底形成蜂巢结构。本申请通过创新性的将半导体衬底的支撑衬底制成蜂巢结构,蜂巢结构上的各贯穿通孔相互贯通,可将位于半导体衬底上部的芯片所产生的热量迅速传递到边缘,以起到绝佳的散热效果。
搜索关键词: 衬底 半导体 蜂巢结构 通孔 绝缘层 高效散热结构 衬底焊盘 支撑 芯片 集成电路 贯穿 贯通 交错分布 散热效果 阵列排列 创新性 连接件 传递 申请
【主权项】:
1.一种具有高效散热结构的集成电路,其特征在于,包括:表面设有衬底焊盘的第一衬底、设于第一衬底之上的半导体衬底、连接第一衬底的衬底焊盘和半导体衬底的底面的连接件、以及设于半导体衬底上的芯片;其中,所述半导体衬底包括设于芯片下部的绝缘层以及位于绝缘层下部的支撑衬底;所述支撑衬底上设有若干个阵列排列的贯穿通孔,各贯穿通孔交错分布且相互贯通,使支撑衬底形成蜂巢结构。
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