[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711482322.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198860A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 梅小杰;李龙;杨东;邹荣涛;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、N型外延区、形成于N型外延区表面的第一、第二P型体区、位于第一P型体区表面的两个第一N型注入区、位于第二P型体区表面的两个第二N型注入区、位于N型外延区表面的第三N型注入区、位于两个第一N型注入区之间的第一P型注入区、位于两个第二N型注入区之间的第二P型注入区、依次形成于N型外延区、第一及第二P型体区、第一、第二N型注入区上的栅氧化层与多晶硅层、形成于多晶硅层上、第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿介质层且对应第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔、贯穿介质层且对应第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 垂直双扩散场效应晶体管 多晶硅层 通孔 栅氧化层 衬底 贯穿 制作 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延区、形成于所述N型外延区表面的第一P型体区与第二P型体区、位于所述第一P型体区表面的两个第一N型注入区、位于所述第二P型体区表面的两个第二N型注入区、位于所述第一P型体区与所述第二P型体区之间的N型外延区表面的第三N型注入区、位于所述两个第一N型注入区之间的所述第一P型体区表面的第一P型注入区、位于所述两个第二N型注入区之间的所述第二P型体区表面的第二P型注入区、依次形成于所述N型外延区、所述第一及第二P型体区、所述第一、第二N型注入区上的栅氧化层与多晶硅层、贯穿所述栅氧化层及多晶硅层且对应所述第一N型注入区与P型注入区的第一开口、贯穿所述栅氧化层与多晶硅层且对应所述第二N型注入区及所述第二P型注入区的第二开口、贯穿所述栅氧化层及多晶硅层且对应所述第三N型注入区的第三开口、形成于所述多晶硅层上、所述第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿所述介质层且对应所述第一P型注入区的第一通孔、贯穿所述介质层且对应所述第二P型注入区的第二通孔。
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