[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，超结结构的PN柱交替排列在N型外延层上，N型外延层形成于半导体衬底上，漏区是在将半导体衬底进行背面减薄完全去除后通过N型离子注入形成于N型外延层背面，使漏区形成一个方便通过离子注入来调节厚度和掺杂浓度的结构，漏区的掺杂浓度在保证能和漏极的金属形成欧姆接触的条件下，通过降低漏区的掺杂浓度或厚度来减少由P型阱和N型外延层之间形成的体二极管在正向导通时的电子注入从而降低器件的Irrm。本发明公开了一种超结器件的制造方法。本发明能减小器件的Irrm，还能同时提高器件的导热性能以及降低对半导体衬底的要求以及能防止半导体衬底的杂质的自扩散对N型外延层的不利影响。

主权项

1.一种超结器件，超结器件的中间区域为电流流动区，终端区环绕于所述电流流动区的外周，过渡区位于所述电流流动区和所述终端区之间；其特征在于，包括：N型外延层，形成于半导体衬底表面；在所述N型外延层中形成有多个沟槽；在所述沟槽中填充由P型外延层并组成P型柱，由各所述P型柱之间的所述N型外延层组成N型柱，由多个交替排列的所述N型柱和所述P型柱组成的超结结构；所述超结结构位于所述电流流动区、所述过渡区和所述终端区中；在所述电流流动区的各所述P型柱的顶部形成有由P型阱，在所述P型阱表面形成有由N+区组成源区，栅极结构部分覆盖在所述P型阱表面且所述P型阱的被所述栅极结构覆盖的表面用于形成沟道；漏区由将所述半导体衬底进行背面减薄完全去除后通过N型离子注入形成于所述N型外延层背面的N+区组成；在所述漏区的背面形成有由背面金属层组成的漏极；所述漏区形成一个方便通过离子注入来调节厚度和掺杂浓度的结构，所述漏区的掺杂浓度在保证能和所述漏极的金属形成欧姆接触的条件下，通过降低所述漏区的掺杂浓度或厚度来减少由所述P型阱和所述N型外延层之间形成的体二极管在正向导通时的电子注入从而降低器件的Irrm。