[发明专利]一种氮化物发光二极管在审
| 申请号： | 201711403205.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108133985A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 黄理承;谢翔麟;黄文宾;林兓兓;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括一衬底，以及依次位于衬底上的成核层、缓冲层、n型层、发光层、P型层和N型接触层，其特征在于：所述N型接触层包括u‑GaN/n‑GaN超晶格结构层。本发明采用u‑GaN/n‑GaN超晶格结构或者u‑GaN/n‑GaN超晶格结构和n+GaN层作为N型接触层，降低与其上的电流扩展层的接触电阻，提高注入电流的横向扩展能力，使得抗静电性能得到改善，操作电压得到降低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物发光二极管 超晶格结构 衬底 超晶格结构层 电流扩展层 抗静电性能 操作电压 横向扩展 接触电阻 注入电流 成核层 发光层 缓冲层 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管，包括一衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、n型层、发光层、P型层和N型接触层，其特征在于：所述N型接触层包括u‑GaN/n‑GaN超晶格结构层。
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