[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711383823.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109950311B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底上具有多个分立的支撑结构，所述支撑结构包括：位于所述基底表面的第一鳍部；在所述基底上形成第一隔离层，所述第一隔离层表面低于所述第一鳍部顶部表面；在所述第一隔离层上形成第二鳍部；去除至少部分第一鳍部，所述开口底部表面低于所述第二鳍部底部表面。所述衬底与第二鳍部不接触，则所述第二鳍部中的载流子不容易扩散进入基底中，因此，能够减小所形成半导体结构的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有多个分立的支撑结构，所述支撑结构包括：位于所述基底表面的第一鳍部；在所述基底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述第一鳍部侧壁，且所述第一隔离层表面低于所述第一鳍部顶部表面；在所述第一隔离层暴露出的第一鳍部侧壁表面形成第二鳍部，所述第二鳍部位于所述第一隔离层上；形成所述第二鳍部之后，去除部分或全部第一鳍部形成开口，所述开口底部表面低于所述第二鳍部底部表面。
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