[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711366231.4 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108054199A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底表面的多个沟槽、形成于所述P型衬底的沟槽所在一侧的表面上及沟槽中的N型外延。由于所述P型衬底和N型外延之间具有所述多个沟槽，在沟槽内存在有经过刻蚀工艺导致的缺陷，可以作为后续注入空穴的复合中心，极大的降低了器件的关断时间，提高了绝缘栅双极晶体管的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底表面的多个沟槽、形成于所述P型衬底的沟槽所在一侧的表面上及沟槽中的N型外延。
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