[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底表面的多个沟槽、形成于所述P型衬底的沟槽所在一侧的表面上及沟槽中的N型外延。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管还包括形成于所述N型外延表面的P型体区、形成于所述P型体区表面源区、形成于所述P型体区、源区及所述N型外延层上的栅极。

3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述沟槽均匀分布于所述P型衬底上，所述P型衬底上的所有沟槽的平面面积小于所述P型衬底的平面面积的三分之一。

4.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述沟槽的深度在500埃-1500埃的范围内。

5.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述沟槽的平面形状为圆形、方形、三角形或六角形。

6.一种绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成光刻胶；

利用所述光刻胶对所述P型衬底进行刻蚀，从而在所述P型衬底表面形成多个沟槽，去除光刻胶；

对所述P型衬底的多个沟槽进行高温快速热退火；

在所述P型衬底的沟槽所在一侧的表面上及沟槽中形成N型外延。

7.如权利要求6所述的绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：在所述N型外延表面形成P型体区，在所述P型体区表面形成源区，在所述P型体区、源区及所述N型外延层上形成栅极。

8.如权利要求6所缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述沟槽均匀分布于所述P型衬底上，所述P型衬底上的所有沟槽的平面面积小于所述P型衬底的平面面积的三分之一。

9.如权利要求6所述的绝缘栅双述的绝极晶体管的制作方法，其特征在于：所述沟槽的深度在500埃-1500埃的范围内。

10.如权利要求6所述的绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述高温快速热退火的温度在1100摄氏度-1200摄氏度的范围内，所述高温快速热退火时间在15秒-30秒的范围内。