[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711288456.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109713039B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，其包括：n+型碳化硅衬底、n‑型层、第一沟槽、p型区域、p+型区域、n+型区域、栅电极、源电极和漏电极。所述半导体器件可以包括多个单位单元，其中，所述多个单位单元中的一个可以包括源电极和p+型区域彼此接触的接触部分、在平面图中设置在接触部分的上部和下部的外部部分以及将接触部分连接至外部部分的连接部分；在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度等于在平面图中在外部部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度，且在平面图中在连接部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度小于在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：n+型碳化硅衬底；n‑型层；多个第一沟槽；p型区域；p+型区域；n+型区域；栅电极；源电极；漏电极；以及多个单位单元，其中，所述多个单位单元中的一个单位单元包括：接触部分，在所述接触部分，源电极和p+型区域彼此接触；外部部分，其在平面图中设置在接触部分的上部和下部，以及连接部分，其将接触部分连接至外部部分，在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度等于在平面图中在外部部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度，在平面图中在连接部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度小于在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度。
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