[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711245171.0 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108039371A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 柯天麒;姜鹏;汤茂亮 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制造方法。其中一个实施例提供了一种LDMOS晶体管，其包括：衬底，在衬底中形成有沟道区、源极区、漏极区和在沟道区与漏极区之间的漂移区；以及电介质层，放置在漂移区的至少一部分上，并且与衬底的主表面直接接触，其中所述电介质层带有电荷以使得在所述电介质层下的漂移区中形成相应感应区域，所述感应区域具有与漂移区相反的导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：衬底，在衬底中形成有沟道区、源极区、漏极区和在沟道区与漏极区之间的漂移区；以及电介质层，放置在漂移区的至少一部分上，并且与衬底的主表面直接接触，其中所述电介质层带有电荷以使得在所述电介质层下的漂移区中形成相应感应区域，所述感应区域具有与漂移区相反的导电类型。
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