[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

说明书

本公开涉及横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制造方法。其中一个实施例提供了一种LDMOS晶体管，其包括：衬底，在衬底中形成有沟道区、源极区、漏极区和在沟道区与漏极区之间的漂移区；以及电介质层，放置在漂移区的至少一部分上，并且与衬底的主表面直接接触，其中所述电介质层带有电荷以使得在所述电介质层下的漂移区中形成相应感应区域，所述感应区域具有与漂移区相反的导电类型。

技术领域

本公开涉及半导体领域，特别涉及横向扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor，缩写为LDMOS)晶体管。

背景技术

LDMOS晶体管的关键性能参数主要有两个：击穿电压(breakdown voltage)和导通电阻(on-state resistance)。在LDMOS晶体管领域，一直追求更高的击穿电压和更低的导通电阻。

因此存在对于新的技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新型的LDMOS晶体管的结构及相应的制造方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种LDMOS晶体管，其包括：衬底，在衬底中形成有沟道区、源极区、漏极区和在沟道区与漏极区之间的漂移区；以及电介质层，放置在漂移区的至少一部分上，并且与衬底的主表面直接接触，其中所述电介质层带有电荷以使得在所述电介质层下的漂移区中形成相应感应区域，所述感应区域具有与漂移区相反的导电类型。

根据本公开的第二方面，提供了一种制造LDMOS晶体管的方法，其包括：提供衬底，在所述衬底中形成有沟道区、源极区、漏极区和在沟道区与漏极区之间的漂移区；以及在与漂移区的至少一部分对应的衬底上形成电介质层，所述电介质层与衬底的主表面直接接触，其中所述电介质层带有电荷以使得在所述电介质层下的漂移区中形成相应感应区域，所述感应区域具有与漂移区相反的导电类型。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示出了现有技术的LDMOS晶体管的基本结构。

图2A-2D示出了根据本公开示例性实施例的LDMOS晶体管的各种示例结构的截面图。

图3示出了根据本公开示例性实施例的LDMOS晶体管制造方法的流程图。

图4A-4C分别示出了在根据本公开一个示例性实施例来制造LDMOS晶体管的一个方法示例的各个步骤处的装置截面示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。