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[发明专利]设备调试方法及装置、存储介质-CN202111269814.1在审
发明人： 汤茂亮;王孟楠 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H04L43/12 文献下载
摘要：本公开是关于一种设备调试方法及装置、存储介质。应用于第一设备中的设备调试方法包括：与第二设备建立射频通信连接；基于所述射频通信连接，向所述第二设备发送配网信息；所述配网信息用于所述第二设备加入所述第一设备所在的局域网并触发开启调试功能；在所述局域网内对所述第二设备进行调试。通过该方法，能提升设备调试效率，提升操作的便利性。
设备调试方法装置存储介质

[发明专利]一种器件建模中最优器件的选取方法-CN202310033311.7在审
发明人： 汤茂亮 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明提供一种器件建模中最优器件的选取方法，包括获得整片晶圆的每个晶片的所有器件的测量参数的测试数据；根据测试数据计算测量参数的各中位数；计算测试数据与相对应的中位数之间的误差数据；判断误差数据是都否满足相应的预设条件；根据晶片Map图筛选出中心晶片；响应于皆满足所述预设条件的各测量参数的误差数据在同一晶片的同一器件中，且该晶片为中心晶片，则该器件为最优器件，最优器件个数最多的晶片为最佳晶片。通过本发明，可对器件建模中最优器件的选择进行改进，保证最后选择的器件是最优器件。
一种器件建模最优选取方法

[发明专利]NFC功能控制方法、NFC功能控制装置及存储介质-CN202110766887.5在审
发明人： 汤茂亮;王孟楠 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06Q20/34 文献下载
摘要：本公开是关于一种NFC功能控制方法、NFC功能控制装置及存储介质，其中，NFC功能控制方法包括在检测到NFC读卡事件且确定该NFC读卡事件为非用户主动操作触发的读卡事件的情况下，关闭NFC读写功能。通过该方法可以在检测到NFC读卡事件且确定该NFC读卡事件为非用户主动操作触发的读卡事件的情况下，关闭NFC读写功能，能够暂停对非用户主动操作触发的读卡事件进行处理，进而可以达到降低终端功耗的目的，提高用户的使用体验。
nfc 功能控制方法装置存储介质

[发明专利]具有栅极保护二极管的MOS晶体管-CN202011636002.1有效
发明人： 汤茂亮;张昊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有栅极保护二极管的MOS晶体管，MOS晶体管的导电沟道的载流子类型为第一导电类型，栅极保护二极管的第二导电类型掺杂区和MOS晶体管的源区连接，栅极保护二极管的第一导电类型掺杂区和MOS晶体管的栅极结构之间通过第一开关连接；当MOS晶体管的栅源电压使MOS晶体管导通时，第一开关也导通，栅极保护二极管为MOS晶体管的栅极结构的等离子体电荷提供泄放路径；当MOS晶体管的栅源电压使MOS晶体管截止时，第一开关防止栅极保护二极管产生正偏。本发明能防止栅极保护二极管产生正偏，从能消除在CMOS制造过程中的等离子体损伤带来的等离子体电荷在栅极结构中的积累的同时能精确测量GIDL和栅极漏电流，能提高SPICE模型精确性。
具有栅极保护二极管 mos 晶体管

[发明专利]利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统-CN202111344884.9在审
发明人： 汤茂亮;张昊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统，其中利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法包括：判断多晶硅控制栅偏移的方向；以及获取多晶硅控制栅偏移的距离，实现了多晶硅控制栅偏移的精确测量，以便于通过光学补偿增加偏移修补量，以抵消由于对准偏差所以引起的版图偏移，防止因版图偏移导致产品存在质量问题。
利用 wpe 效应验证 poly 版图偏移方法系统

[发明专利]NFC功能的处理方法、装置及存储介质-CN202110831459.6在审
发明人：王孟楠;汤茂亮 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本公开是关于一种NFC功能的处理方法、装置及存储介质。该方法应用于电子设备，包括：在检测到用于修复所述电子设备的NFC功能的触发操作时，启动针对所述电子设备的NFC功能的修复功能；在成功启动所述修复功能的情况下，基于预存在所述电子设备中的修复脚本，对所述电子设备的NFC功能进行修复。本公开能够基于检测到的用于修复电子设备的NFC功能的触发操作，启动针对电子设备的NFC功能的修复功能，并在成功启动该修复功能的情况下，基于预存在电子设备中的修复脚本，对电子设备的NFC功能进行修复，能够减少用户由于非硬件问题请求退机或者返厂维修的可能性，进而提高用户使用电子设备的体验感，并降低电子设备的维修成本。
nfc 功能处理方法装置存储介质

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910143681.X有效
发明人：王阳阳;夏春秋;汤茂亮;刘少东 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；位于所述溢出栅极结构的第一侧半导体衬底中的溢出漏区，所述溢出漏区适于电学连接电源线；二极管掺杂层，所述二极管掺杂层位于溢出栅极结构的第二侧半导体衬底中；位于所述溢出栅极结构底部半导体衬底中的附加浮空扩散区，所述附加浮空扩散区与二极管掺杂层相互分立且和溢出漏区相互分立。所述图像传感器的性能得到提高。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]隔离结构及其形成方法、图像传感器及其制造方法-CN201910242501.3有效
发明人：王阳阳;汤茂亮;刘少东 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种用于图像传感器的隔离结构及其形成方法、图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括第一像素区和第二像素区，所述隔离结构包括：沟槽隔离结构，位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间；PNP型隔离区，位于所述沟槽隔离结构底部与所述半导体衬底底部之间，包括与所述第一像素区邻接的第一P型区、与所述第二像素区邻接的第二P型区、以及位于所述第一P型区与第二P型区之间的N型区。所述隔离结构能够有效消除像素区的光电二极管的溢出电荷对相邻像素区的影响。
隔离结构及其形成方法图像传感器制造

[发明专利]充电方法、装置及系统-CN202110191593.4在审
发明人： 汤茂亮;王孟楠 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本公开是关于一种充电方法、装置及系统。涉及充电技术，解决了在进行无线反向充电时用户操作繁琐严重影响了用户体验和充电应用的可靠性的问题。该方法包括：第一设备在第二设备进入所述第一设备的NFC范围内的情况下，发起建立与所述第二设备之间的NFC点对点连接；所述第一设备在与所述第二设备建立所述NFC点对点连接后，与所述第二设备进行电力交换。本公开提供的技术方案适用于设备间电力交换，实现了便捷可靠的设备间反向充电。
充电方法装置系统

[发明专利]像素单元及其制造方法以及成像装置-CN201711283564.0有效
发明人：柯天麒;姜鹏;汤茂亮 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及像素单元及其制造方法以及成像装置。像素单元可以包括：衬底，所述衬底包括非晶半导体层以及在非晶半导体层上的结晶半导体层。所述衬底包括用于光电器件的第一部分和用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分。所述第一部分包括第一掺杂区以及在第一掺杂区之上的第二掺杂区，其中，所述第二掺杂区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相同。所述第二部分包括与所述第二掺杂区相邻的沟道形成区，其中所述沟道形成区的导电类型与所述第二掺杂区的导电类型相反。所述第一掺杂区的至少一部分设置在所述非晶半导体层中。所述第二掺杂区的至少一部分设置在所述结晶半导体层中。
像素单元及其制造方法以及成像装置

[发明专利]用于校验版图中的图案偏移的装置和方法-CN201910278042.4有效
发明人： 汤茂亮;柯天麒;王阳阳;刘少东 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及校验版图中的图案偏移的方法和装置。本公开提供了一种校验版图中的图案偏移的方法，包括：测量版图中的至少一对相邻金属氧化物半导体场效应管MOSFET中的漏极电流；比较每一对MOSFET中的两个MOSFET中的漏极电流；以及基于比较结果，判定该对MOSFET共用的多晶栅极对应的版图图案相对于该对MOSFET的有源区是否存在偏移。
用于校验版图中的图案偏移装置方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910493625.9在审
发明人：柯天麒;汤茂亮 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括若干相互分立的像素区、以及位于相邻像素区之间的隔离区，且相邻像素区和隔离区沿第一方向排列；在所述基底表面形成隔离材料膜；刻蚀部分所述隔离材料膜，直至暴露出基底表面，在基底表面形成隔离结构，隔离结构内具有开口，且所述开口暴露出像素区表面；在所述开口内形成像素层，所述像素层覆盖隔离结构侧壁表面。所述方法形成的图像传感器的性能较好。
图像传感器基底表面开口隔离材料隔离结构相邻像素隔离区像素层像素区基底方向排列覆盖隔离结构侧壁暴露分立刻蚀

[发明专利]半导体器件组和基板-CN201910358103.8在审
发明人：王阳阳;汤茂亮;刘少东 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件组和基板。公开了一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其包括：多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其中各半导体器件包括控制电极以及第一和第二非控制电极；第一公共电极，各半导体器件共享所述第一公共电极并分别具有所述第一公共电极的一部分作为其控制电极；以及第二公共电极，各半导体器件共享所述第二公共电极并分别具有所述第二公共电极的一部分作为其第一非控制电极。
半导体器件公共电极控制电极测试半导体器件共享延伸基板匹配

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201910362708.4在审
发明人： 汤茂亮;柯天麒;王阳阳;刘少东 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成二极管掺杂层；在二极管掺杂层中的顶部区域形成顶层掺杂层，所述顶层掺杂层的导电类型与二极管掺杂层的导电类型相反；形成顶层掺杂层的方法包括：在所述二极管掺杂层的表面形成扩散层，所述扩散层中具有扩散离子，所述扩散离子的导电类型与二极管掺杂层的导电类型相反；进行热处理，使扩散层中的扩散离子进入二极管掺杂层中的顶部区域；进行所述热处理后，去除所述扩散层。所述方法提高了半导体器件的性能。
掺杂层二极管导电类型扩散层半导体器件顶层离子热处理顶部区域扩散衬底半导体表面形成去除

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910212162.4在审
发明人：刘少东;柯天麒;王阳阳;汤茂亮 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成分立排列的光电二极管掺杂区；在所述半导体衬底上形成外延层；对所述外延层进行离子注入，在所述光电二极管对应位置的所述外延层内形成与所述光电二极管掺杂区连续的光电二极管扩展区。本发明技术方案通过增加光电二极管的掺杂深度提高量子转化效率。
衬底光电二极管图像传感器半导体外延层光电二极管掺杂区离子量子转化效率扩展区分立掺杂

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