[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711245171.0 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108039371A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 柯天麒;姜鹏;汤茂亮 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：
衬底，在衬底中形成有沟道区、源极区、漏极区和在沟道区与漏极区之间的漂移区；以及
电介质层，放置在漂移区的至少一部分上，并且与衬底的主表面直接接触，
其中所述电介质层带有电荷以使得在所述电介质层下的漂移区中形成相应感应区域，所述感应区域具有与漂移区相反的导电类型。
2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述电介质层由高介电常数材料形成。
3.根据权利要求2所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述高介电常数材料选自如下中的至少一种：HfO、HfSiO、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al
4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述电介质层的厚度在10到500纳米的范围内。
5.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述电介质层的沿沟道方向的宽度在0.1到1000微米的范围内。
6.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漂移区的导电类型为N型，且掺杂浓度为1e11～1e17cm
7.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，源极区、漏极区和漂移区的导电类型为N型，电介质层带有的电荷为负电荷，感应区域的导电类型为P型。
8.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，源极区、漏极区和漂移区的导电类型为P型，电介质层带有的电荷为正电荷，感应区域的导电类型为N型。
9.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括位于衬底上方的栅极结构，所述栅极结构覆盖电介质层的至少一部分。
10.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，衬底为P型衬底，沟道区由P型衬底的一部分形成，漂移区和漏极区由P型衬底中的N型阱形成。
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