[发明专利]提高注入机生产效率的方法有效

申请号：	201711237469.7	申请日：	2017-11-30
公开（公告）号：	CN107993931B	公开（公告）日：	2019-11-19
发明（设计）人：	叶锋;袁立军	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	H01L21/265	分类号：	H01L21/265;H01L21/67
代理公司：	31211 上海浦一知识产权代理有限公司	代理人：	郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址：	201203 上海市浦东新区***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种提高注入机生产效率的方法，包括如下步骤：步骤一、根据单次注入时间的要求来调节注入机的注入束流；通过增加注入束流的大小降低所述单次注入时间。步骤二、注入机通过对晶圆进行不同区域的扫描并在各扫描区域进行离子注入实现对晶圆的全片注入，根据减少总体扫描时间的要求来调节所述注入束流；注入束流对光刻胶的碰撞会产生的水汽从而使注入腔体的压强增加，注入束流的大小要求设置到保证在整个注入扫描过程中所述注入腔体的压强都小于上限值，从而不会产生离子注入停止，减少所述总体扫描时间。本发明能够有效提高光刻胶开口率较小的产品生产效率，缩短单片晶圆完成全片注入的时间，提高WPH。
搜索关键词：	提高注入生产效率方法
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【主权项】：

1.一种提高注入机生产效率的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、根据单次注入时间的要求来调节注入机的注入束流，所述单次注入时间为注入机对晶圆的单次注入区进行所需注入剂量的注入时间，所述单次注入时间和注入束流的积和所述注入剂量成正比，通过增加所述注入束流的大小降低所述单次注入时间；/n步骤二、所述注入机通过对所述晶圆进行不同区域的扫描并在各扫描区域进行离子注入实现对所述晶圆的全片注入，根据减少总体扫描时间的要求来调节所述注入束流；所述注入束流越大，所述注入束流对光刻胶的碰撞而产生的水汽也越多，水汽的增加会使所述注入机的注入腔体的压强增加，当所述注入腔体的压强增加到一个上限值时，离子注入会停止，所述注入束流的大小要求设置到保证在整个注入扫描过程中所述注入腔体的压强都小于上限值，从而不会产生离子注入停止，减少所述总体扫描时间；/n步骤二中，需要根据所述光刻胶的开口率的大小调节所述注入束流，所述光刻胶的开口率越小，被所述注入束流碰撞所产生的水汽也越多，所述注入束流的值越小；或者，步骤二中，需要根据所述光刻胶的厚度的大小调节所述注入束流，所述光刻胶的厚度越厚，被所述注入束流碰撞所产生的水汽也越多，所述注入束流的值越小。/n

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摘要：本发明公开了一种提高注入机生产效率的方法，包括如下步骤：步骤一、根据单次注入时间的要求来调节注入机的注入束流；通过增加注入束流的大小降低所述单次注入时间。步骤二、注入机通过对晶圆进行不同区域的扫描并在各扫描区域进行离子注入实现对晶圆的全片注入，根据减少总体扫描时间的要求来调节所述注入束流；注入束流对光刻胶的碰撞会产生的水汽从而使注入腔体的压强增加，注入束流的大小要求设置到保证在整个注入扫描过程中所述注入腔体的压强都小于上限值，从而不会产生离子注入停止，减少所述总体扫描时间。本发明能够有效提高光刻胶开口率较小的产品生产效率，缩短单片晶圆完成全片注入的时间，提高WPH。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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