[发明专利]P型沟槽栅MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201711234796.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107978629A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 石磊;缪进征;范让萱 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型沟槽栅MOSFET包括P型重掺杂的半导体衬底。在半导体衬底上形成有一层P型轻掺杂的外延层。N型阱区形成于外延层表面，N型阱区通过多次离子注入的杂质经退火后叠加形成，通过增加各离子注入的注入能量调节N型阱区的深度，以减少退火工艺对N型阱区的深度的调节，从而降低退火工艺的温度，并进而减少半导体衬底的杂质向上扩散的量，使得在外延层和半导体衬底之间形成无过渡层的直接接触的结构。本发明还公开了一种P型沟槽栅MOSFET的制造方法。本发明能减少外延层的厚度，降低P型沟槽栅MOSFET的导通电阻，同时还能使器件的击穿电压和阈值电压基本保存不变以及能减少工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种P型沟槽栅MOSFET，其特征在于，包括：P型重掺杂的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有一层P型轻掺杂的外延层；N型阱区形成于所述外延层表面，所述N型阱区通过多次离子注入的杂质经退火后叠加形成，通过增加各所述离子注入的注入能量调节所述N型阱区的深度，以减少退火工艺对所述N型阱区的深度的调节，从而降低所述退火工艺的温度，并进而减少所述半导体衬底的杂质向上扩散的量，使得在所述外延层和所述半导体衬底之间形成无过渡层的直接接触的结构，从而减少所述外延层的厚度，降低P型沟槽栅MOSFET的导通电阻。
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