[发明专利]一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711231355.1 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107958937A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 唐昭焕;杨发顺;马奎;林洁馨;傅兴华 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法，它包括衬底材料，所述衬底材料上覆盖有第一外延层；第一外延层上覆盖有第二外延层；体区位于第一外延层和第二外延层之间；体区的上部二侧为源区；本发明一方面增加了体区的结面积，从而最大限度地提升了功率VDMOS器件的EAS，且可以保持器件的阈值电压基本不变；具有实现简单、可靠性高的优点；解决了现有技术平面型功率VDMOS器件存在EAS低、已公开技术提高EAS空间小等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 工艺 功率 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件，它包括衬底材料，其特征在于：所述衬底材料上覆盖有第一外延层；第一外延层上覆盖有第二外延层；轻掺杂第一导电类型第一外延层(201)位于第一外延层和第二外延层之间。
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