[发明专利]动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法有效
| 申请号： | 201711146632.9 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN109801880B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;林俊贤;李甫哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法。该制作动态随机存取存储器的埋入式字符线的方法为，首先形成一凹槽于一基底内，然后形成一有机层于凹槽内，去除部分该有机层，形成一第一栅极介电层于凹槽内以及有机层上，去除有机层，再形成一第二栅极介电层于第一栅极介电层上以及凹槽内。之后形成一导电层于第二栅极介电层上并填满凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 埋入 字符 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作动态随机存取存储器的埋入式字符线的方法，包含：形成一第一掺杂区于一基底内；去除部分该第一掺杂区以形成一凹槽于该基底内；形成一栅极结构于该凹槽内；以及形成一阻挡结构于该栅极结构以及该第一掺杂区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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