[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711114715.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786248B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一鳍部和覆盖所述半导体衬底表面的隔离层，所述第一鳍部包括内嵌于所述隔离层的第一下部和凸出于所述隔离层的表面的第一上部；形成鳍侧墙，所述鳍侧墙覆盖所述第一上部的顶部表面和侧壁；去除位于所述第一上部的顶部表面的鳍侧墙，并去除所述第一上部的一部分，所述鳍侧墙和保留的第一上部包围形成第一鳍开口；在所述第一鳍开口内填充金属，以和所述第一鳍开口周围的第一鳍部反应形成第一金属硅化物层。本发明方案可以形成更多的金属硅化物层，有助于提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一鳍部和覆盖所述半导体衬底表面的隔离层，所述第一鳍部包括内嵌于所述隔离层的第一下部和凸出于所述隔离层的表面的第一上部；形成鳍侧墙，所述鳍侧墙覆盖所述第一上部的顶部表面和侧壁；去除位于所述第一上部的顶部表面的鳍侧墙，并去除所述第一上部的一部分，所述鳍侧墙和保留的第一上部包围形成第一鳍开口；在所述第一鳍开口内填充金属，以和所述第一鳍开口周围的第一鳍部反应形成第一金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
