[发明专利]提高耐压范围的MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710997677.0 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107731926B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 贵州芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 550081 贵州省贵阳市观山湖*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET器件及其制备方法，尤其是一种提高耐压范围的MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件的技术领域。元胞区的有源元胞采用沟槽结构，终端保护区内设置若干终端沟槽，终端沟槽的深度大于元胞沟槽的深度，所述终端沟槽导电多晶硅通过终端沟槽绝缘氧化层与终端沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离；邻近元胞区的终端沟槽与邻近终端保护区的元胞沟槽侧壁外上方的第二导电类型基区接触，能有效提高耐压范围，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 耐压 范围 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高耐压范围的MOSFET器件，包括位于半导体基板上的元胞区以及终端保护区，元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于元胞区的外圈且终端保护区环绕包围元胞区；所述半导体基板包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底上方的第一导电类型漂移层；元胞区内的有源元胞采用沟槽结构，在元胞沟槽内设置沟槽栅结构；在所述元胞沟槽侧壁外上方设有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区位于第一导电类型漂移层内且与相应的元胞沟槽侧壁接触；在相邻元胞沟槽间侧壁外上方的第二导电类型基区内均设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应元胞沟槽的侧壁接触；其特征是：在终端保护区内设置若干终端沟槽，所述终端沟槽位于第一导电类型漂移层内，终端沟槽在第一导电类型漂移层内的深度大于元胞沟槽在第一导电类型漂移层内的深度；终端沟槽内设置终端导电多晶硅，所述终端沟槽导电多晶硅通过终端沟槽绝缘氧化层与终端沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离；邻近元胞区的终端沟槽与邻近终端保护区的元胞沟槽侧壁外上方的第二导电类型基区接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州芯长征科技有限公司，未经贵州芯长征科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710997677.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磁铁电枢带的制备方法及磁铁电枢带
- 下一篇：一种全自动绕线焊晶元机
- 同类专利
- 专利分类
