[发明专利]半导体器件以及半导体器件制造的方法有效
| 申请号： | 201710985652.9 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108231687B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李宗吉;谢东衡;杨宝如;范家声 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了金属栅极结构和相关方法，该方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍。在各个实施例中，第一鳍具有第一栅极区域并且第二鳍具有第二栅极区域。例如，在第一栅极区域和第二栅极区域上方形成金属栅极线。在一些实施例中，金属栅极线从第一鳍延伸至第二鳍，并且金属栅极线包括牺牲金属部分。在各个实例中，实施线切割工艺以将金属栅极线分隔成第一金属栅极线和第二金属栅极线。在一些实施例中，牺牲金属部分防止线切割工艺期间的介电层的横向蚀刻。本发明的实施例还涉及半导体器件以及半导体器件制造的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造的方法，包括：在衬底上形成第一鳍和第二鳍，所述第一鳍具有第一栅极区域并且所述第二鳍具有第二栅极区域；在所述第一栅极区域和所述第二栅极区域上方形成金属栅极线，其中，所述金属栅极线从所述第一鳍延伸至所述第二鳍，并且其中，所述金属栅极线包括牺牲金属部分；以及实施线切割工艺以将所述金属栅极线分隔成第一金属栅极线和第二金属栅极线，其中，所述牺牲金属部分防止所述线切割工艺期间的介电层的横向蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
