[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201710911772.4 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887362B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 韩奎熙;白宗玟;V.H.阮;刘禹炅;张相信;金秉熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/764;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上的第一层间电介质膜；在所述第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，所述第一布线和所述第二布线在不同于所述第一方向的第二方向上彼此相邻；在所述第一层间电介质膜上的硬掩模图案，所述硬掩模图案包括开口；以及在所述第一层间电介质膜内的气隙，所述气隙在所述第一方向上包括与所述开口垂直交叠的第一部分和不与所述开口交叠的第二部分。
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