[发明专利]一种非晶薄膜器件以及制作方法有效
| 申请号： | 201710595501.2 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107342229B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 汤卉;唐新桂;刘秋香;蒋艳平;张天富 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/24;H01L29/861 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。该制作方法工艺简单，且由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件单向导电性，具有明显的二极管效应，整流效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 器件 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶薄膜器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n提供一基底；/n在所述基底上形成第一电极结构；/n在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；/n在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；/n其中，所述非晶薄膜层为Bi
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710595501.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
