[发明专利]一种非晶薄膜器件以及制作方法

说明书

本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。该制作方法工艺简单，且由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件单向导电性，具有明显的二极管效应，整流效果良好。

技术领域

本发明涉及功能薄膜以及电子器件技术领域，更具体地说，尤其涉及一种非晶薄膜器件以及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，薄膜材料在电子领域已受到越来越多的关注，薄膜的制作技术也在不断更新与发展。现有的薄膜材料的制作方法在物理与化学领域都有相应的技术，例如脉冲激光沉积法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、原子沉积技术以及化学溶液沉积法等。

现有技术中，对于整流二极管具有单向导电性，用于将交流电转化为直流电，已被广泛应用于多个领域中，如汽车领域、太阳能领域以及家用电器领域等；也就是说，几乎所有带电源的电子部件均会用到整流二极管，二极管在各个领域中占有不可或缺的地位。

而现有技术中的整流二极管属于金属氧化物半导体，那么如何提供一种具有二极管效应的非晶薄膜器件，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种非晶薄膜器件以及制作方法，由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件具有明显的二极管效应，且制作工艺简单，优良的二极管整流效应在电子器件等领域中具有极为重要的地位。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种非晶薄膜器件的制作方法，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成第一电极结构；

在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；

在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；

其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。

优选的，在上述制作方法中，所述基底为玻璃基底或硅片基底或单晶钛酸锶基底或单晶钛酸锶掺铌基底。

优选的，在上述制作方法中，所述第一电极结构为铂电极或LaNiO3电极或SrRuO3电极或LaMnO3电极或SrMnO3电极。

优选的，在上述制作方法中，所述第二电极结构为金电极或铂电极或钨电极或银电极或铝电极。

优选的，在上述制作方法中，所述非晶薄膜层为Bi₂FeCrO₆非晶薄膜层。

优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层包括：

配置硝酸铁前驱液以及硝酸铬前驱液以及硝酸铋前驱液；

将所述硝酸铁前驱液以及所述硝酸铬前驱液以及所述硝酸铋前驱液静置设定时间；

将所述硝酸铁前驱液滴加至所述硝酸铋前驱液中，匀速搅拌设定时间，形成第一混合液；

将所述硝酸铬前驱液滴加至所述第一混合液中，匀速搅拌设定时间，形成第二混合液；

采用乙酰丙酮溶液调节所述第二混合液的浓度，以使所述第二混合液的浓度达到设定要求，形成Bi₂FeCrO₆前驱液；

采用所述Bi₂FeCrO₆前驱液在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成设定厚度的非晶薄膜层。