[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710448937.9 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087864B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供包括第一区和第二区的基底；形成位于基底第一区中的第一掺杂区和位于基底第二区中的第二掺杂区，第二掺杂区中掺杂有阻挡离子；在第一掺杂区表面和第二掺杂区表面形成第一金属层；在第一金属层表面形成第二金属层，第二金属层和第一金属层的材料不同；进行退火工艺，使第一掺杂区上的第一金属层和第二金属层与第一掺杂区表面材料形成具有阻挡离子的第一金属硅化物层，使第二掺杂区表面的第一金属层和第二掺杂区表面材料反应形成第二金属硅化物层，阻挡离子阻挡第二金属层的原子扩散进入第二金属硅化物层中。所述方法简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区；形成位于基底第一区中的第一掺杂区和位于基底第二区中的第二掺杂区，第二掺杂区中掺杂有阻挡离子；在第一掺杂区表面和第二掺杂区表面形成第一金属层；在第一金属层表面形成第二金属层，第二金属层和第一金属层的材料不同；进行退火工艺，使第一掺杂区上的第一金属层和第二金属层与第一掺杂区表面材料形成第一金属硅化物层，使第二掺杂区表面的第一金属层和第二掺杂区表面材料反应形成具有阻挡离子的第二金属硅化物层，阻挡离子阻挡第二金属层的原子扩散进入第二金属硅化物层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
