[发明专利]一种碳化硅Trench MOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710433420.2 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107425068B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张金平;邹华;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅Trench MOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在传统器件沟槽栅结构下增设一层呈π型分布的多晶硅区，使其与外延层形成Si/SiC异质结，进而在器件内部集成二极管。相比直接利用碳化硅Trench MOS的寄生碳化硅二极管，本发明显著降低了器件二极管应用时的结压降，同时，由于较大的异质结结面积改善了器件导通特性；进一步地，本发明减小了器件的栅‑漏电容和栅‑漏与栅‑源电容的比值，提高了器件MOS应用时的性能和可靠性；此外，本发明还具有反向恢复时间短，反向恢复电荷少的优势，还保持传统碳化硅Trench MOS器件反向漏电低，击穿电压高和器件温度稳定性能好的优点；综上，本发明在逆变电路、斩波电路等电路中具有广阔前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 trenchmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅沟槽MOS器件，其元胞结构包括：自下而上依次设置的金属漏电极(7)、N
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