[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710403081.3 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108122846B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李东颖;叶致锴;李宗霖;杨育佳;萧孟轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成牺牲层。在牺牲层上方形成掩模图案。通过使用掩模图案作为蚀刻掩模图案化牺牲层和源极/漏极结构，从而形成邻近于图案化的牺牲层和图案化的源极/漏极结构的开口。在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的牺牲层以在图案化的源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。本发明的实施例还涉及包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 场效应 晶体管 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法，所述方法包括：在鳍式场效应晶体管结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成掩模图案；通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述牺牲层和所述源极/漏极结构，从而形成邻近于图案化的牺牲层和图案化的源极/漏极结构的开口；在所述开口中形成介电层；在形成所述介电层之后，去除所述图案化的牺牲层以在所述图案化的源极/漏极结构上方形成接触开口；以及在所述接触开口中形成导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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