[发明专利]半导体结构及用于形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201710333810.2 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107437559A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 廖显原;何建志;林纪贤;曾华洲;陈和祥;刘如淦;叶子祯;吕盈达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体结构及用于形成半导体结构的方法。有源半导体区域安置于衬底中。栅极形成于所述衬底上方。晶体管的源极区域及漏极区域形成于所述有源半导体区域中在所述栅极的对置侧上。所述漏极区域具有第一宽度，且所述源极区域具有不等于所述第一宽度的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包含：有源半导体区域，其安置于衬底中；栅极，其形成于所述衬底上方；以及晶体管的源极区域及漏极区域，其形成于所述有源半导体区域中在所述栅极的对置侧上，所述漏极区域具有第一宽度，且所述源极区域具有不等于所述第一宽度的第二宽度。
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