[发明专利]一种双波段探测器的制作方法在审
| 申请号： | 201710185061.3 | 申请日： | 2017-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106972077A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张清 | 申请（专利权）人： | 张清 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 257000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种双面红外/紫外双波段探测器制作方法，通过红外探测区以及紫外探测区的结构和位置的设置，紫外探测区域在正面入射光探测时使用正面入光p－i－n结构，在背面入射光探测时使用背面入光p－i－n结构，红外探测区域分别使用衬底正面和背面的探测结构进行探测，使制作的双面红外/紫外双波段探测器，能够对于正面/背面入射的红外/紫外光都能够进行探测，并且红外和紫外光探测区域互不干扰，从而实现了双面探测的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波段 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双面红外/紫外双波段探测器制作方法，包括如下步骤：（1）通过MOCVD法在衬底上表面生长N型GaN层；（2）通过MOCVD法在N型GaN层上第一区域上依次生长i型GaN层以及P型GaN层；（3）通过溶胶－凝胶法在N型GaN层上第二区域上依次生长SiO2钝化层，多孔SO2隔热层，红外热吸收层以及PZT薄膜层；（5）通过MOCVD法在衬底下表面对应第二区域的位置生长GaN缓冲层；（6）通过溶胶－凝胶法在GaN缓冲层外依次生长SiO2钝化层，多孔SO2隔热层，红外热吸收层以及PZT薄膜层；（7）通过IPC刻蚀得到N型GaN层左侧台面，以及第一区域与第二区域之间的间隔；（8）通过电子束蒸发在N型GaN层左侧台面上下沉积In/ Au合金，在P型GaN层沉积Ni/Au合金；（9）通过IPC刻蚀得到上部以及下部红外热吸收层左侧台面；（10）通过电子束蒸发在上部以及下部红外热吸收层左侧台面沉积下电极；（11）通过电子束蒸发在上部以及下部PZT薄膜层沉积上电极。
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- 吴正云 - 厦门芯荣光电科技有限公司
- 2018-03-26 - 2018-07-24 - H01L31/105
- 用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器为p‑i‑n外延结构，在衬底的Si面上外延生长N型SiC缓冲层并作为p‑i‑n的N型欧姆接触层，在N型SiC缓冲层上外延生长i型层并作为光子吸收层，在i型层上外延一层P+型层并构成紫外探测芯片的p‑i‑n结构；在P+型层的钝化层上刻蚀P型电极窗口并设有P型电极和焊盘；在N型SiC缓冲层的钝化层上刻蚀N型电极窗口并设有N型电极与焊盘。对外延片清洗；先后制备隔离保护倾斜台面，红外信号的透过窗口，SiO2钝化层，P型电极、N型电极、P型焊盘和N型焊盘，红外抗反射层，得用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器。
- 一种光电探测器-201721008260.9
- 张亮 - 西安科锐盛创新科技有限公司
- 2017-08-11 - 2018-06-26 - H01L31/105
- 本实用新型涉及一种光电探测器，包括：Si衬底(11)以及设置于所述Si衬底(11)上的Ge晶籽层(12)、Ge主体层(13)、GeSn层(14)及金属电极(15)；其中，所述Ge晶籽层(12)设置于所述Si衬底(11)表面；所述Ge主体层(13)设置于所述Ge晶籽层(12)表面；所述GeSn层(14)设置于所述Ge主体层(13)中间区域之上；所述金属电极(15)设置于所述Ge主体层(13)两侧区域之上。本实用新型实施例通过采用激光再晶化工艺形成的晶化Ge层，可有效降低Ge/Si界面的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge/Si界面特性，从而使光电探测器具备高速响应率和高量子效率的特性。
- 一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板-201810012447.9
- 黄睿 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2018-01-05 - 2018-06-22 - H01L31/105
- 本申请提供了一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板，其中光电二极管包括基板，以及设置在所述基板上的第一电极层；层叠设置在所述第一电极层上的第一掺杂层、本征层和第二掺杂层；设置在所述第二掺杂层上的第二电极层；其中，在所述第一电极层远离所述基板一侧的表面具有多个凹陷区；利用第一电极层表面的多个凹陷区结构接收光子，产生等离子激元共振效应，从而促进光电二极管对入射光的吸收，进而提高光电二极管的光电转换效率。
- 光电探测器-201721004069.7
- 张捷 - 西安科锐盛创新科技有限公司
- 2017-08-11 - 2018-06-01 - H01L31/105
- 本实用新型涉及一种光电探测器。包括：SOI衬底11，包括依次层叠设置的Si衬底层(110)、SiO2层(120)和Si层，所述Si层包括水平方向依次排列的N型掺杂区(111)、i型区(112)和P型掺杂区(113)；晶化Ge层(12)，设置于所述i型区(112)表面上；金属电极(13)，所述金属电极(13)分别设置于所述N型掺杂区(111)和所述P型掺杂区(113)之上；SiO2钝化层(14)，设置于所述晶化Ge层(12)和所述Si层之上。本实用新型提供的光电探测器，结构简单，Ge/Si界面缺陷密度低，暗电流小，有利于提高器件的量子效率。
- 光电二极管及光电二极管的制造方法-201510623624.3
- 刘东庆 - 比亚迪股份有限公司
- 2015-09-25 - 2018-04-20 - H01L31/105
- 本发明公开一种光电二极管，其包括第一导电类型电极区、第一导电类型衬底、第二导电类型电极区及导电延伸区。该第一导电类型衬底设置在该第一导电类型电极区上。该第二导电类型电极区设置在该第一导电类型衬底上。该导电延伸区围绕该第二导电类型电极区，该导电延伸区纵向贯穿该第一导电类型衬底且连接该第一导电类型电极区。上述光电二极管,在第二导电类型电极区周围增加了纵向贯穿第一导电类型衬底的导电延伸区，可以实现在反向偏压下横向耗尽到边缘，达到提高感光面积利用率和降低漏电的目的。本发明还公开一种光电二极管的制造方法。
- 高速光探测器-201480029484.0
- M.G.查辛斯基;N.P.奇蒂卡 - 迈络思科技有限公司
- 2014-05-21 - 2018-04-13 - H01L31/105
- 本发明提供一种基于pin的高速光探测器，其包括其中所施加的电场较高的薄光吸收层(102)，该薄光吸收层(102)与暴露于低得多的电场的漂移层(104)组合。仅具有较高迁移率的电荷载流子将必须行进经过漂移层(104)，而具有较低迁移率的电荷载流子将仅行进在小于或至多等于光吸收层(102)的厚度的距离上。漂移层(104)的带隙能量(208)大于光吸收层(102)的带隙能量(206)。较高电场光吸收层到较低电场漂移层的过渡通过分级层(105)实施。漂移层(104)中的电场关于光吸收层(102)的电场的减小通过光吸收层(102)、漂移层(104)和分级层(105)中的掺杂浓度的分布实现。
- 含Bi化合物光电探测器及其制作方法-201611075155.7
- 吴渊渊;谭明;代盼;陆书龙;任雪勇;黄寓洋 - 苏州苏纳光电有限公司
- 2016-11-29 - 2018-04-03 - H01L31/105
- 本发明公开了一种含Bi化合物光电探测器及其制作方法。所述光电探测器包括衬底、外延层和电极，所述电极与所述外延层连接，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的缓冲层、N型接触层、吸收层和P型接触层，所述吸收层采用ANxBi1‑x，其中，0≤x＜1，A＝Ga、In或Al，N型接触层为AlN掺Si，P型接触层为AlN掺Mg。本发明能获得从紫外到红外宽波段的半导体探测器件，可以有效地应用于光传输系统和探测等技术领域，器件结构简单，体积小，成本低廉，具有广泛应用前景。
- 一种感光组件、指纹识别面板及装置-201710006112.1
- 刘英明;董学;吕敬;王海生;陈小川;丁小梁;许睿;贾亚楠;赵利军;李昌峰;郭玉珍 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2017-01-04 - 2018-03-23 - H01L31/105
- 本发明实施例提供一种感光组件、指纹识别面板及装置，涉及感光技术领域，能够解决因光线从侧面直接入射至光敏器件中而造成噪音干扰的问题。该感光组件包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及光敏器件，光敏器件包括沿远离衬底基板方向依次设置的第一电极、PIN半导体层、第二电极，第一电极与薄膜晶体管的漏极连接，第一电极为不透明电极，第二电极为透明电极；感光组件还包括覆盖薄膜晶体管、第一电极未接触PIN半导体层的部分以及PIN半导体层侧面的隔离介质层，隔离介质层的上表面与第二电极接触，隔离介质层用于将第二电极与第一电极、PIN半导体层侧面、薄膜晶体管绝缘隔离开；隔离介质层包括设置于PIN半导体层的侧面的遮光部。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
