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[发明专利]带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片-CN202311047239.X在审
发明人： 秦世宏;丁奕心;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片，涉及集成光学技术领域，其技术方案要点是：包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分；模斑转换器，用于保持多种模式的光耦合进入探测部分；探测部分，自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层；模式选择结构，位于衬底层的表面，用于使多种模式的光依次耦合到吸收层，模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率，模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度，模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层，提高吸收层光场均匀性和器件的线性度，同时保证器件具有较高的带宽。
带有模式选择结构光电探测器光子芯片

[发明专利]集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法-CN202210387745.2有效
发明人：王兵兵;陈雨璐;崔慧源;周宏;吴翼飞;刘文辉;王洋刚;董祚汝;陈栋;童武林;秦世宏;周扬州;徐方俊鹏;杨绪起;戴小宛;汪泽文;张传胜;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
集成多晶表面砷化镓基太赫兹探测器制作方法

[发明专利]共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法-CN202011605117.4有效
发明人：崔慧源;王兵兵;陈雨璐;王晓东;刘文辉;童武林;陈栋;秦世宏;吴翼飞;王洋刚;王添雄 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法，包括：步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面，注入As离子或者P离子，采用炉管进行退火；步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层；步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层；步骤S4:在阻挡层上，形成局部的正电极接触区；在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内，形成台面结构。步骤S5：在所述台面表面、侧壁及其底部，沉积二氧化硅钝化层；步骤S6：在二氧化硅钝化层上，开正负电极孔；步骤S7：在正、负电极孔内，形成欧姆接触良好的正电极、负电极。本发明能够提升有效入射率，提升探测灵敏度。
掺杂阻挡杂质探测系统方法

[实用新型]一种智能植保机械-CN202220501280.4有效
发明人：唐婕;唐永生;何玉华;蒋彦华;张菊香;杨峰;胡朝芹;何春华;王勤方;胡家权;杨新;董林波;王琼;周金娥;秦世宏 -专利权人：曲靖市农业科学院（曲靖市农业技术推广中心）
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能植保机械，包括用于带动整体移动的底盘装置，所述底盘装置上面安装有用于保护内部的罩壳装置，所述罩壳装置前后对称安装有两个用于调整喷药角度的调节装置；所述底盘装置包括底板，所述底板底部四角均匀安装有四个伺服电机，所述伺服电机外侧安装有行走轮，所述底板上面安装有储药箱，所述储药箱一侧安装有隔膜泵，所述储药箱远离所述隔膜泵一侧设置有蓄电池，所述蓄电池上面设置有单片机。本实用新型所述的一种智能植保机械，通过自动移动的设置，降低了人工劳动强度，省时省力；通过两侧喷药的设置，一次两排喷药，提高了喷药效率；通过摄像头和喷头的远距离设置，保证了摄像头的洁净。
一种智能植保机械

[实用新型]一种用于筛选豌豆的装置-CN202220678034.6有效
发明人：唐永生;钱成明;何玉华;蒋彦华;张菊香;于海天;杨峰;胡朝芹;董林波;秦世宏;敖文;王勤方;齐万清;许志娟;廖召发 -专利权人：曲靖市农业科学院（曲靖市农业技术推广中心）
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于筛选豌豆的装置，包括有箱体、内置的清洗箱和倾斜的筛选板，所述箱体的顶部一侧设有入料口，所述入料口的一侧设有水箱，所述清洗箱的顶部与入料口的底部相连通，所述清洗箱的内部水平设有转轴，所述转轴上设有若干个清洁杆，所述清洗箱的底部一侧设有出料管，所述筛选板的一侧与清洗箱相连并位于出料管的下方，所述箱体远离入料口的一侧设有出料口，所述出料口贯穿箱体延伸至内部与筛选板相连，所述筛选板上设有滤网，所述滤网靠近清洗箱的一端底部安装有振动器，所述筛选板靠近出料口的一端开设有出杂口，且所述滤网的上方垂直设有挡板，所述挡板的两侧均水平安装有风机。本实用新型提高了豌豆筛选杂质时的效果，节约了后续清洗的时间。
一种用于筛选豌豆装置

[发明专利]一种豆类耐盐性测定方法-CN202210226986.9在审
发明人：唐永生;何玉华;唐婕;蒋彦华;何春华;杨峰;胡朝芹;杨新;张菊香;许志娟;王勤方;胡家权;齐万清;秦世宏;敖文 -专利权人：曲靖市农业科学院（曲靖市农业技术推广中心）
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明属于植物耐盐性测定技术领域，公开了一种豆类耐盐性测定方法，豆类生长环境检测模块通过检测传感器检测养殖箱内部的环境参数和土壤盐性；同时通过摄像模块获取豆类各个时段内部的生长状态；主控制模块通过控制器对数据进行整理储存，并协调各个模块的正常运行；数据预处理模块通过数据预处理程序对获取的数据进行预处理；执行调整模块通过在养殖箱安装有温度、光照强度、湿度调整设备，调整养殖箱内部的豆类生长环境；数据分析模块通过数据分析程序对获取的数据的进行分析，得出豆类耐盐性。本发明可以精确获取养殖箱内部的环境参数、土壤盐性和豆类各个时段内部的生长状态，为豆类耐盐性实验提供了更可靠的数据参考。
一种豆类耐盐性测定方法

[发明专利]一种高灵敏度高线性度探测器-CN202010094211.1有效
发明人：李冲;苏佳乐;秦世宏;鲍凯;关锴;徐港 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-02-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度高线性度探测器，自上至下包括接触电极、石墨烯透明导电电极、p‑吸收区、倍增区、n+欧姆接触区和n+欧姆接触电极；p‑吸收区的掺杂浓度为1×1016～5×1017cm‑3。本发明采用石墨烯作为透明导电电极，表面为P型轻掺杂的吸收区，电子空穴复合几率低，光生载流子寿命长，使得蓝绿光在器件表面可以被直接吸收生成电子空穴对，避免了在进入吸收区之前的损耗，有利于提高探测器在蓝绿光波段的响应度。
一种灵敏度线性探测器

[发明专利]一种大孔径高速光电探测器-CN202010291927.0有效
发明人：李冲;徐港;苏佳乐;秦世宏;鲍凯;关锴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种大孔径高速光电探测器，光电探测器是垂直入射器件，由下往上依次设有光栅区、衬底层、p型掺杂区、本征吸收区、n型掺杂区；垂直入射器件为台面结构，通过刻蚀将p型掺杂区暴露在下台面，n型掺杂区位于上台面；p型掺杂区上形成p型欧姆电极，n型掺杂区上形成n型欧姆电极；光栅区是在衬底层背面通过图形刻蚀形成周期性的光栅结构，此结构具有透镜作用，能将大面积垂直入射的平行光汇聚到光栅后方焦点处；衬底层材料的禁带宽度大于入射光子能量；本征吸收区材料的禁带宽度小于或等于入射光子能量。本发明的光电探测器具有低成本、低功耗、小尺寸、高速和大通光面积的优点。
一种孔径高速光电探测器

[发明专利]垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器-CN201910000895.1有效
发明人：李冲;鲍凯;黎奔;秦世宏;赵艳军 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，具体设计一种能够对空间通信及垂直入射光信号进行探测且具有高速性能的光电探测器。n型掺杂插指区，p型掺杂插指区是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域，之间的间隙是垂直耦合光栅；光栅区，是在衬底p型和n型掺杂插指条区中间部分经过深紫外光刻后采用干法刻蚀技术，形成的与掺杂条区平行的周期性刻蚀浅槽，构成垂直耦合光栅结构；浅槽光栅的宽度小于入射波长，对垂直入射的光形成衍射效应，周期的光栅形成衍射叠加，将光能量的传播方向由垂直转化为水平方向，提高光吸收能量；离子注入浓度峰值的深度要求大于光栅刻蚀深度30到60nm。
垂直耦合型浅槽隔离光电探测器

[发明专利]集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法-CN202011587131.6在审
发明人：童武林;陈雨璐;王兵兵;王晓东;刘文辉;陈栋;王添雄;崔慧源;吴翼飞;秦世宏;王洋刚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。基于超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。
集成结构砷化镓基阻挡杂质探测器制备方法

[实用新型]一种豌豆种子灭菌装置-CN202021061956.X有效
发明人：唐永生;钱成明;何玉华;蒋彦华;王勤方;于海天;张菊香;胡家权;敖文;秦世宏;廖召发;郑云昆 -专利权人：曲靖市农业科学院（曲靖市农业技术推广中心）
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： A01C1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种豌豆种子灭菌装置，包括灭菌槽，灭菌槽顶端的一侧对称固定连接有连接块，两个连接块之间转动套接有第一主轴，灭菌槽内腔底部的一侧设置有第二主轴，第二主轴外壁的两端与灭菌槽转动套接，第一主轴和第二主轴之间设置有履带，履带的外壁等距固定连接有多个限位条，灭菌槽内壁的一侧固定连接有承载箱，承载箱的底部开设有出料口，且出料口位于履带的顶部，灭菌槽固定连接有电机。本实用新型利用履带的设置方式，当豌豆种子放置在承载箱内进行浸泡时，履带可以将承载箱底部的豌豆种子缓慢运输到灭菌槽中进行浸泡灭菌处理，无需等待一批灭菌浸泡完成后再处理下一批，从而提高豌豆种子灭菌浸泡的效率。
一种豌豆种子灭菌装置

[发明专利]垂直耦合型波分复用光信号接收共面光电探测器-CN201910000898.5有效
发明人：李冲;黎奔;鲍凯;秦世宏;赵艳军 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：垂直耦合型波分复用光信号接收共面光电探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，针对空间通信领域，特别是波分复用光电探测器的低成本，低功耗，强抗辐射能力，易于封装和形成线阵和面阵结构，能和微电子集成电路大面积单片集成的需求。本发明结构：p型掺杂插指区，n型掺杂插指区是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域，之间的间隙是本征吸收区；二维耦合光栅区是在吸收材料区两侧电极中间部分在紫外光刻后采用干法刻蚀技术，在入射平面上与掺杂区条平行和垂直两个方向上周期不同的二维光栅结构；控制两个维度光栅的周期和刻蚀深度使得满足布拉格衍射条件，将垂直入射的光转变为水平方向。
垂直耦合型波分复用光信号接收光电探测器

[发明专利]一种宽光谱高吸收太阳能电池-CN202010524421.X在审
发明人：李冲;关锴;秦世宏;苏佳乐;鲍凯;徐港 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱高吸收太阳能电池，该太阳能电池是半导体光伏器件，包括：特定本征吸收层厚度；本征吸收层厚度由光子晶体的陷光效率决定；器件由下往上依次设有衬底层、绝缘掩埋层、顶层吸收层(如Si层)、抗反射薄膜层；器件的顶层吸收区两侧分别注入离子形成p型掺杂区和n型掺杂区，p型掺杂区上形成p电极，n型掺杂区上形成n电极；p型掺杂区与n型掺杂区之间为本征吸收层；本征吸收层的表面制作周期性空气孔形成光子晶体；周期性空气孔的具体的周期，刻蚀深度，根据需要、入射光波长范围和理论计算得出；周期性空气孔可制成圆柱形孔或圆锥形孔；周期性空气孔内填充另一种半导体材料(如Ge)。本发明的太阳能电池具有宽吸收光谱、高吸收效率、高集成度和多功能等优点，适用波长范围为紫外、可见光、近红外波段。
一种光谱吸收太阳能电池

[发明专利]波导耦合型单行载流子探测器-CN201711246603.X有效
发明人：李冲;秦世宏;何晓颖;黎奔 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明为波导耦合型单行载流子探测器，包括p+欧姆接触电极(101)、p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)、本征区(103)、n+欧姆接触区(104)、n+欧姆接触电极(105)、绝缘掩埋层(106)、衬底层(107)和单模入射波导(108)，p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)，吸收区(102)的截面为矩形，所述吸收区(102)位于本征区(103)顶部，本征区(103)位于所述单模入射波导(108)的末端，本征区(103)的宽度与所述单模入射波导(108)相同；单模入射波导(108)、n+欧姆接触区(104)和所述本征区(103)共平面；仅在本征区(103)的一侧布置所述n+欧姆接触区(104)。本发明能够对高强度通信光信号进行探测且具有良好线性度的波导单行载流子二极管。
波导耦合单行载流子探测器

[发明专利]波导复合式耦合型单行载流子探测器-CN201711246684.3有效
发明人：李冲;黎奔;何晓颖;秦世宏 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：波导复合式耦合型单行载流子探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域。波导耦合将器件光吸收和电输运方向相互垂直，光从波导通过端面对接或者倏逝波效应耦合到吸收材料中，吸收效率由器件长度决定；单行载流子结构是利用多子迟豫时间短，仅高速少子输运，缩短渡越时间的同时抑制空间电荷效应，提高探测器的饱和度和线性度。本发明就是将端面对接及倏逝波耦合结合以减少单纯倏逝波耦合的光损耗，来针对光互连领域中特别天线系统以及平衡探测系统中的光电探测器的高线性度、高速率、高信噪比以及高密度集成的需求，设计并制作了一种波导耦合型单行载流子光电探测器结构。
波导复合耦合单行载流子探测器

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